题目内容
(请给出正确答案)
提问人:网友cqbocl
发布时间:2022-01-07
[主观题]
当MOSFET的沟道宽度很小时,阈值电压将随着沟道宽度的增加而()。
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B、若金属相比半导体的功函数较小,二者功函数之差越大时,n沟增强型MOSFET的开启电压就越小
C、衬底掺杂浓度越高,沟道越容易进入强反型状态
D、氧化层厚度增加,阈值电压增加
B、沟道长度调变效应会使MOS输出特性曲线饱和区段发生倾斜,输出阻抗降低
C、由于沟道长度调变效应,在n型沟道中运动的电子到达夹断处时,会被耗尽区电场扫进漏区,从而导致增益变小
D、沟道长度调变效应的工作机理与双极型晶体管的基区宽度调变效应有些相似
A、vGS=0,则沟道中无法流过电流
B、P沟道JFET工作时,应满足栅源电压vGS<0
C、JFET的沟道电流,主要受到栅源电压vGS的影响
D、N沟道JFET工作时,应满足栅源电压vGS<0
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