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提问人：网友曾深鑫发布时间：2022-01-07

[单选题]

p沟耗尽型MOS管的阈值电压为（)，达到阈值电压后，表面为（)状态。

A.正值，强反型

B.正值，导电沟道消失

C.负值，强反型

D.负值，导电沟道消失

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第1题

p沟增强型MOS管的开启电压为___,沟道中导电载流子为___。

A、正值，电子

B、正值，空穴

C、负值，电子

D、负值，空穴

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第2题

在外加栅压为零时,p沟增强型MOS管半导体表面处于()状态,()导电沟道。

A、积累，无

B、耗尽，无

C、反型，有

D、积累，有

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第3题

以下各项中不是n沟耗尽型MOS管形成原因的是()。

A、氧化层正电荷控制不当

B、衬底材料掺杂浓度选择不妥

C、源漏材料掺杂浓度选择不妥

D、以上都是形成的原因

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第4题

对于MOSFET，根据栅源电压为0时是否存在导电沟道，可分为场效应管和场效应管。

A、MOS；结型

B、增强型；结型

C、增加型；耗尽型

D、耗尽型；结型

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第5题

n沟增强型MOS管在栅压为零时,由于氧化层中正电荷的作用,半导体表面为()状态,开启电压为()。

A、积累，正值

B、耗尽，正值

C、积累，负值

D、耗尽，负值

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第6题

MOS场效应管有增强型和耗尽型两类，每类又有N沟道和P沟道两种。

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第7题

若耗尽型N沟道MOS管的[图]大于零，则其输入电阻会明显...

若耗尽型N沟道MOS管的大于零，则其输入电阻会明显变小。

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第8题

栅极不加电压时耗尽型MOS是导通的。（）

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