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提问人：网友曾深鑫 发布时间：2022-01-07
[判断题]

MOS结构半导体表面处于反型区时，表面电荷的改变主要依靠的是漂移与扩散运动。（)

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更多“MOS结构半导体表面处于反型区时，表面电荷的改变主要依靠的是漂移与扩散运动。()”相关的问题
第1题
p型的MOS结构半导体表面处于反型区时,空间电荷是()的,为()。
A、正，电离施主杂质

B、正，电离施主杂质和空穴

C、负，电离受主杂质

D、负，电离受主杂质和电子

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第2题
在外加栅压为零时,p沟增强型MOS管半导体表面处于()状态,()导电沟道。
A、积累，无

B、耗尽，无

C、反型，有

D、积累，有

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第3题
以下关于MOS空间电荷区宽度的说法中,正确的是()。
A、半导体表面反型时，空间电荷区宽度达到最大值

B、空间电荷区宽度最大时，强反型区的电子或空穴会屏蔽表面电场

C、空间电荷区宽度达到最大值后，表面势的变化不会引起空间电荷区宽度的变化

D、对于n型，外加电压VG>0并逐渐增大时，空间电荷区宽度逐渐增大直至达到最大值

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第4题
对于p型半导体形成的MOS电容结构,当金属端外加负电压时,表面能带向弯曲,表面为状态;对于n型半导体表面能带向弯曲,表面为状态()。
A、上，积累，下，耗尽或反型

B、上，耗尽或反型，上，积累

C、上，积累，上，耗尽或反型

D、下，积累，下，耗尽或反型

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第5题
对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面从多子耗尽状态到少子反型状态的过渡状态是?()
A、本征状态

B、平坦能带状态

C、多子积累状态

D、深耗尽状态

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第6题
N型半导体界面附近的固定正电荷会使界面一层成为()状态。
A、积累

B、耗尽

C、反型

D、p+

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第7题
PMOS半导体表面达到反型后,若源端电位高于漏端电位,则()在沟道中()进行输运。
A、空穴，由源端到漏端

B、空穴，由漏端到源端

C、电子，由源端到漏端

D、电子，由漏端到源端

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第8题
若要使PMOS开启,则栅源之间加()电压,半导体表面能带(),反型后形成()沟道。
A、正，下弯，n型

B、负，上弯，n型

C、负，上弯，p型

D、负，下弯，p型

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第9题
p沟道增强型比n沟道增强型器件更易制造的原因是氧化层正电荷的积累可能会使n型半导体反型。()

此题为判断题(对，错)。

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