网友您好，请在下方输入框内输入要搜索的题目：

搜题

题目内容（请给出正确答案）

提问人：网友曾深鑫发布时间：2022-01-07

[判断题]

理想MOS结构半导体表面空间电荷区的平带电容可用极板间距为德拜长度LD的平板电容公式表示。（)

参考答案

简答题官方参考答案（由简答题聘请的专业题库老师提供的解答）

查看官方参考答案

网友提供的答案

共位网友提供了参考答案，

查看全部

· 有6位网友选择对，占比66.67%
· 有3位网友选择错，占比33.33%

对错

提交我的答案

登录提交答案，可赢取奖励机会。登录

更多“理想MOS结构半导体表面空间电荷区的平带电容可用极板间距为德拜长度LD的平板电容公式表示。()”相关的问题

第1题

理想MOS结构半导体表面空间电荷区的平带电容可用极板间距为德拜长度LD的平板电容公式表示（）。

点击查看答案

第2题

总的MOS电容C为氧化层单位面积电容Cox与半导体表面空间电荷区的微分电容Cs串联组成。（)

点击查看答案

第3题

总的MOS电容C为氧化层单位面积电容Cox与半导体表面空间电荷区的微分电容Cs串联组成。（）

点击查看答案

第4题

以下各项与理想MOS平带电容无关的是（）。

A.温度

B.掺杂浓度

C.氧化层厚度

D.非本征德拜长度

点击查看答案

第5题

理想MOS结构的平带电容对应的是栅压为0时的MOS电容

点击查看答案

第6题

P-Sub的理想MOS结构在耗尽时，半导体表面空间电荷区的电荷主要是带负电的受主离子，此时半导体表面可以导电

点击查看答案

第7题

平板电容器的电容可用公式：C=εS／D计算，式中：ε为介电常数;S为平板面积;D为两极板间距离。（)

点击查看答案

第8题

P-Sub的理想MOS结构中半导体表面空间电荷区的宽度会随着正向栅压的增大而增大，在反型时达到最大值

点击查看答案

第9题

强反型时，理想MOS结构表面空间电荷区中的电荷为负电荷，说明该MOS结构的衬底是P型

点击查看答案

第10题

实际MOS电容的平带电容对应的是栅电压为0时的电容

点击查看答案

账号：尚未登录

登录没有账号？去注册

购买搜题卡

考试指南全部 >

自考专升本都有哪些专业可以选含金量高的推荐 2024年10月自考成绩什么时候出分数线是多少 2024自考大专报名时间合格标准是多少 2024年成人高考本科报名有什么条件考哪些内容 2024年自考报名官网入口什么时候考试 2024年4月吉林自考成绩查询入口什么时候查询吉林2024年4月自学考试成绩查询入口在哪里 2024年4月陕西自考成绩查询时间自考成绩查询方式会计学自考本科要考哪些科目一共考几门 2024年4月上海自学考试成绩查询系统入口

购买搜题卡查看答案

购买前请仔细阅读《购买须知》

请选择支付方式

微信支付

支付宝支付

点击支付即表示你同意并接受《服务协议》和《购买须知》

立即支付已付款，但不能查看答案，请点这里登录即可>>

搜题卡使用说明

1. 搜题次数扣减规则：

功能	扣减规则
功能	基础费（查看答案）	加收费（AI功能）
文字搜题、查看答案	1/每题	0/每次
语音搜题、查看答案	1/每题	2/每次
单题拍照识别、查看答案	1/每题	2/每次
整页拍照识别、查看答案	1/每题	5/每次

备注：网站、APP、小程序均支持文字搜题、查看答案；语音搜题、单题拍照识别、整页拍照识别仅APP、小程序支持。

2. 使用语音搜索、拍照搜索等AI功能需安装APP（或打开微信小程序）。

3. 搜题卡过期将作废，不支持退款，请在有效期内使用完毕。

找回账号密码

联系在线客服

警告：系统检测到您的账号存在安全风险

为了保护您的账号安全，请在“简答题”公众号进行验证，点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证，验证成功后方可继续查看答案！

- 微信扫码关注简答题 -

警告：系统检测到您的账号存在安全风险

抱歉，您的账号因涉嫌违反简答题购买须知被冻结。您可在“简答题”微信公众号中的“官网服务”-“账号解封申请”申请解封，或联系客服。

- 微信扫码关注简答题 -

下载APP

关注公众号

TOP