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提问人:网友shuang512
发布时间:2022-01-07
[主观题]
【习题6-5】一硅突变pn结,n区的[图],[图];p区的[图],[图...
【习题6-5】一硅突变pn结,n区的,;p区的,;计算室温下空穴电流与电子电流之比、饱和电流密度、以及在正向电压0.3 V时流过pn结的电流密度。
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【习题6-5】一硅突变pn结,n区的,;p区的,;计算室温下空穴电流与电子电流之比、饱和电流密度、以及在正向电压0.3 V时流过pn结的电流密度。
在T=300K,硅的本征载流子浓度=1.5,硅的PN结N区掺杂浓度=,P区掺杂浓度=,求平衡时势垒高度
A、1.0um
B、0.5um
C、0.1um
D、0.01um
A.虽然PN结外加正向电压,PN结的电流也可能为零
B.PN结的门坎电压就是正向导通电压
C.PN结的正向导通电流的方向是由P区指向N区
D.PN结的正向导通电流是P区的空穴与N区的电子的电流之和
A.N区的电子与P区的空穴都靠近空间电荷区,使空间电荷区变宽
B.N区的空穴与P区的电子都远离空间电荷区,使空间电荷区变宽
C.N区的电子与P区的空穴形成的电流,称为反向电流
D.N区的空穴与P区的电子形成的电流,称为反向电流
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