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提问人：网友蒋勇
发布时间：2023-03-21
[单选题]
对于N型半导体来说，以下说法正确的选项是（）。
A.费米能级靠近导带底
B.空穴为多子
C.电子为少子
D.费米能级靠近靠近于价带顶
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A.费米能级靠近导带底
B.空穴为多子
C.电子为少子
D.费米能级靠近靠近于价带顶
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第4题
对于P型半导体来说，下列说法正确的是：（)。A.在本征半导体中掺入微量的五价元素形成的;B.它的载
对于P型半导体来说，下列说法正确的是：()。
A.在本征半导体中掺入微量的五价元素形成的;
B.它的载流子是空穴;
C.它对外呈现正电;
D.它的多数载流子是空穴。
第6题
对于锗和硅半导体来说,最常用的一类杂质是()、()和()等元素。元素加入后,半导体变成n型半导体了。
对于锗和硅半导体来说,最常用的一类杂质是（)、（)和（)等元素。元素加入后,半导体变成n型半导体了。
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第7题
对于锗和硅半导体来说,最常用的另一类杂质是()、()和()等元素。这些元素加入后,半导体变成P型半导体了。
对于锗和硅半导体来说,最常用的另一类杂质是（)、（)和（)等元素。这些元素加入后,半导体变成P型半导体了。
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第8题
以下关于MOS空间电荷区宽度的说法中，正确的是（)。
A.半导体表面反型时，空间电荷区宽度达到最大值
B.空间电荷区宽度最大时，强反型区的电子或空穴会屏蔽表面电场
C.空间电荷区宽度达到最大值后，表面势的变化不会引起空间电荷区宽度的变化
D.对于n型，外加电压VG>0并逐渐增大时，空间电荷区宽度逐渐增大直至达到最大值
第9题
以下关于MOS空间电荷区宽度的说法中，正确的是（）。
A.半导体表面反型时，空间电荷区宽度达到最大值
B.空间电荷区宽度最大时，强反型区的电子或空穴会屏蔽表面电场
C.空间电荷区宽度达到最大值后，表面势的变化不会引起空间电荷区宽度的变化
D.对于n型，外加电压VG＞0并逐渐增大时，空间电荷区宽度逐渐增大直至达到最大值
第10题
以下关于高层次需要的说法，正确的是________。
A.比低层次需要更弱
B.相对于低层次需要，在生命较晚期开始变得活跃
C.对于生存来说，不像低层次需要那么必要
D.所有选项都正确
