对于P型半导体来说,以下说法正确的是()
A.电子为多子
B.空穴为少子
C.能带图中施主能级靠近于导带底
D.能带图中受主能级靠近于价带顶
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- · 有2位网友选择 D,占比25%
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A.电子为多子
B.空穴为少子
C.能带图中施主能级靠近于导带底
D.能带图中受主能级靠近于价带顶
A. 自由电子、空穴、位于晶格上的离子
B. 无论P型还是N型半导体,自由电子、空穴都是导电介质
C. 对于P型半导体,空穴是唯一的导电介质
D. 对于N型半导体,空穴是唯一的导电介质
B.半导体应变片的灵敏系数极大,因而输出也大,可以不需要放大器直接与记录仪器连接
C.半导体应变片的优点是电阻值和灵敏系数的温度稳定性很好
D.半导体应变片按照特性分类,可分为灵敏系数补偿型应变片和非线性补偿应变片
B、室温时,p型半导体的霍耳系数为正
C、n型半导体的霍耳角为负
D、p型半导体的霍耳角为正
E、室温时,n型半导体的霍耳系数为正
F、室温时,p型半导体的霍耳系数为负
A. PN结是P型,N型半导体混合制成的
B. PN结是P型,N型半导体相接触形成的
C. PN结是P型半导体中掺入少量N型半导体形成的
D. PN结是N型半导体中掺入少量P型半导体形成的
B、处于激发态上的受激电子跃迁回基态的辐射复合,才可能实现发光
C、在辐射复合过程中,电子从高能级向低能级跃迁,伴随着发射声子,就是半导体发光
D、在非辐射复合过程中,电子从高能态向低能态跃迁的同时向晶格发射声子,就是半导体发光
B、声子对热传导率的贡献实质上就是格波之间的散射过程的贡献
C、半导体的热导率与电导率之间存在某种联系
D、通过双极扩散的机构,电子和空穴共同将能量从高温端运载到低温端
E、半导体的热导率是由载流子的运动和声子的运动两种机构决定的
B、价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数
C、费米能级位于禁带内,且与导带底或价带顶的距离大于2k0T
D、导带中的电子服从费米分布函数
E、价带中的空穴服从费米分布函数
F、费米能级距离带边(导带底或价带顶)很近,甚至进入导带或价带
A、甲厂灵敏度高
B、乙厂灵敏度高
C、甲乙两场灵敏度一样高
D、无法比较
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