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提问人:网友joanjason 发布时间:2022-01-07
[单选题]

对于P型半导体来说,以下说法正确的是()

A.电子为多子

B.空穴为少子

C.能带图中施主能级靠近于导带底

D.能带图中受主能级靠近于价带顶

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第1题
N型半导体中只有自由电子参与导电
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第2题
关于P、N型半导体内参与导电的介质,下列说法最为合适的是()。

A. 自由电子、空穴、位于晶格上的离子

B. 无论P型还是N型半导体,自由电子、空穴都是导电介质

C. 对于P型半导体,空穴是唯一的导电介质

D. 对于N型半导体,空穴是唯一的导电介质

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第3题
P型半导体的特点是()

A. 自由电子浓度大于空穴的浓度

B. 空穴的浓度大于自由电子的浓度

C. 自由电子的浓度等于空穴的浓度

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第4题
下列关于半导体应变片的说法错误的是()。
A.半导体材料的压阻效应是指当半导体材料某一轴向受外力作用时,其电阻率P发生变化的现象

B.半导体应变片的灵敏系数极大,因而输出也大,可以不需要放大器直接与记录仪器连接

C.半导体应变片的优点是电阻值和灵敏系数的温度稳定性很好

D.半导体应变片按照特性分类,可分为灵敏系数补偿型应变片和非线性补偿应变片

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第5题
关于霍耳效应,以下说法正确的是?()
A、室温时,n型半导体的霍耳系数为负

B、室温时,p型半导体的霍耳系数为正

C、n型半导体的霍耳角为负

D、p型半导体的霍耳角为正

E、室温时,n型半导体的霍耳系数为正

F、室温时,p型半导体的霍耳系数为负

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第6题
关于PN结下列说法正确的是:()。

A. PN结是P型,N型半导体混合制成的

B. PN结是P型,N型半导体相接触形成的

C. PN结是P型半导体中掺入少量N型半导体形成的

D. PN结是N型半导体中掺入少量P型半导体形成的

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第7题
关于半导体发光,以下说法正确的是?()
A、在辐射复合过程中,电子从高能级向低能级跃迁,伴随着发射光子,就是半导体发光

B、处于激发态上的受激电子跃迁回基态的辐射复合,才可能实现发光

C、在辐射复合过程中,电子从高能级向低能级跃迁,伴随着发射声子,就是半导体发光

D、在非辐射复合过程中,电子从高能态向低能态跃迁的同时向晶格发射声子,就是半导体发光

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第8题
关于半导体的热导率,以下说法正确的是?()
A、半导体中热传导绝大部分是声子的贡献

B、声子对热传导率的贡献实质上就是格波之间的散射过程的贡献

C、半导体的热导率与电导率之间存在某种联系

D、通过双极扩散的机构,电子和空穴共同将能量从高温端运载到低温端

E、半导体的热导率是由载流子的运动和声子的运动两种机构决定的

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第9题
关于“非简并半导体”,以下说法正确的是:()。
A、导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数

B、价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数

C、费米能级位于禁带内,且与导带底或价带顶的距离大于2k0T

D、导带中的电子服从费米分布函数

E、价带中的空穴服从费米分布函数

F、费米能级距离带边(导带底或价带顶)很近,甚至进入导带或价带

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第10题
已知甲、乙两厂生产的光电器件在色温2856K标准钨丝灯下标定出的灵敏度分别为,则甲乙两厂中光电器件灵敏度比较结果正确的是()

A、甲厂灵敏度高

B、乙厂灵敏度高

C、甲乙两场灵敏度一样高

D、无法比较

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