在室温下n型锗的霍耳系数RH=100cm3/c，求载流子浓度．

在室温下N型锗的霍尔系数R_H=100cm³/C求载波子浓度．

A.室温时，n型半导体的霍耳系数为负

B.室温时，p型半导体的霍耳系数为正

C.n型半导体的霍耳角为负

D.p型半导体的霍耳角为正

E.室温时，n型半导体的霍耳系数为正

F.室温时，p型半导体的霍耳系数为负

A.室温时，n型半导体的霍耳系数为负

B.室温时，p型半导体的霍耳系数为正

C.n型半导体的霍耳角为负

D.p型半导体的霍耳角为正

E.室温时，n型半导体的霍耳系数为正

F.室温时，p型半导体的霍尔系数为负

一个n型锗样品，电阻率ρ=10Ω·cm。设复合中心能级E_t在价带顶之上0.22eV处，τ_n=100μs，τ_p=10μs，求室温下样品的寿命τ(设N_c≈N_v=10¹⁹cm^-3)。

由电阻率为1Ω·cm的P型锗和0.1Q·cm的n型锗半导体组成一个pn结，计算在室温(300K)时，内建电位差V_D和阻挡层宽度。已知在上述电阻率下，p区的空穴迁移率μ_p=1650cm²/(V·s)，n区电子的迁移率μ_n=3000cm²/(V·s)，锗的本征载流子浓度n_i=2.5×10¹³cm^-3。