以下关于MOSFET阈值电压的说法中,错误的是()。
A.半导体表面强反型时的栅极电压称为阈值电压
B.若金属相比半导体的功函数较小,二者功函数之差越大时,n沟增强型MOSFET的开启电压就越小
C.衬底掺杂浓度越高,沟道越容易进入强反型状态
D.氧化层厚度增加,阈值电压增加
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A.半导体表面强反型时的栅极电压称为阈值电压
B.若金属相比半导体的功函数较小,二者功函数之差越大时,n沟增强型MOSFET的开启电压就越小
C.衬底掺杂浓度越高,沟道越容易进入强反型状态
D.氧化层厚度增加,阈值电压增加
B、若金属相比半导体的功函数较小,二者功函数之差越大时,n沟增强型MOSFET的开启电压就越小
C、衬底掺杂浓度越高,沟道越容易进入强反型状态
D、氧化层厚度增加,阈值电压增加
B、靠近半导体界面的电荷比靠近栅极界面的电荷影响更大
C、靠近栅极界面的电荷与靠近半导体界面的电荷的影响相同
D、靠近氧化层中间位置的电荷影响更大
A. 不能用万用表VAG1526B检查静态电压
B. 检查前,需对蓄电池进行2小时以上的充电
C. 检查前,需将蓄电池静止2小时以上
D. 检查时,可以使用车辆上的收音机
B、跨导指的是栅极电压每变化1伏特所引起的栅-源电流的变化
C、跨导标志着MOS场效应管的电压放大能力
D、MOS管的跨导越大,电压增益也越大
A、琼脂糖凝胶中加入EB的作用在于对电泳过程进行实时监测
B、低浓度凝胶具有较大的孔径,分子筛作用小,电泳速度快
C、聚丙烯酰胺凝胶的分辨率高于琼脂糖凝胶
D、毛细管电泳过程中采用高电压,电泳速度快
A、此时满足条件VDS>VGS-VTH
B、沟道夹断点从源端向漏端移动
C、沟道夹断点电压为VGS-VTH
D、沟道夹断区为耗尽区
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