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提问人:网友Yierqiang 发布时间:2022-01-07
[单选题]

以下关于MOSFET阈值电压的说法中,错误的是()。

A.半导体表面强反型时的栅极电压称为阈值电压

B.若金属相比半导体的功函数较小,二者功函数之差越大时,n沟增强型MOSFET的开启电压就越小

C.衬底掺杂浓度越高,沟道越容易进入强反型状态

D.氧化层厚度增加,阈值电压增加

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更多“以下关于MOSFET阈值电压的说法中,错误的是()。”相关的问题
第1题
以下关于MOSFET阈值电压的说法中,错误的是()。
A、半导体表面强反型时的栅极电压称为阈值电压

B、若金属相比半导体的功函数较小,二者功函数之差越大时,n沟增强型MOSFET的开启电压就越小

C、衬底掺杂浓度越高,沟道越容易进入强反型状态

D、氧化层厚度增加,阈值电压增加

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第2题
电力系统发生振荡时,以下关于电压电流说法错误的是()。
A.不变

B.在振荡的频率高时会发生突变

C.均作往复性摆动

D.均会发生突变

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第3题
关于不同位置的氧化层电荷对阈值电压的影响,下列说法中正确的是()。
A、靠近栅极界面的电荷比靠近半导体界面的电荷影响更大

B、靠近半导体界面的电荷比靠近栅极界面的电荷影响更大

C、靠近栅极界面的电荷与靠近半导体界面的电荷的影响相同

D、靠近氧化层中间位置的电荷影响更大

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第4题
下述关于检查蓄电池静态电压的描述中,正确的是()

A. 不能用万用表VAG1526B检查静态电压

B. 检查前,需对蓄电池进行2小时以上的充电

C. 检查前,需将蓄电池静止2小时以上

D. 检查时,可以使用车辆上的收音机

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第5题
以下关于MOS管跨导的说法中,错误的是()。
A、跨导反映外加栅极电压控制漏-源电流的能力

B、跨导指的是栅极电压每变化1伏特所引起的栅-源电流的变化

C、跨导标志着MOS场效应管的电压放大能力

D、MOS管的跨导越大,电压增益也越大

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第6题
监测电力系统电压值和考核电压质量的节点,称为()。
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第7题
关于电泳技术,以下说法错误的是

A、琼脂糖凝胶中加入EB的作用在于对电泳过程进行实时监测

B、低浓度凝胶具有较大的孔径,分子筛作用小,电泳速度快

C、聚丙烯酰胺凝胶的分辨率高于琼脂糖凝胶

D、毛细管电泳过程中采用高电压,电泳速度快

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第8题
跨步电压:在接地故障点附近行走时,两脚之间出现的(),越靠近接地故障点或跨步越大,跨步电压越大。离接地故障点达20m时,跨步电压为零。
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第9题
MOS管工作在饱和区时,满足条件VDS___VGS-VTH,夹断区是___区。( )

A、>,耗尽

B、>,反型

C、<,耗尽> D、<,反型>

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第10题
n沟增强型MOS管的源端接地,工作在饱和工作区时,以下说法中错误的是( )。

A、此时满足条件VDS>VGS-VTH

B、沟道夹断点从源端向漏端移动

C、沟道夹断点电压为VGS-VTH

D、沟道夹断区为耗尽区

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