题目内容
（请给出正确答案）
已知Si中每立方厘米掺有
个硼原子
A、这是N-Si
B、该半导体中费米能级在禁带中心的上方
C、该半导体中NA=
D、该半导体中电子浓度为
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已知硅半导体中每立方厘米掺有1
个硼原子，则：
A、这是N-Si
B、电子浓度为
C、该半导体中空穴为少数载流子
D、该半导体的费米能级在禁带中心下方
A.2×10^17cm^-3
B.3×10^16cm^-3
C.1.7×10^17cm^-3
D.不确定
A.硅中掺有元素杂质磷(P)、砷(As)
B.硅中掺有元素杂质硼(B)、铝(Al)
C.砷化镓掺有元素杂质硅(Si)、碲(TE)
D.砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁
在硼的化合物中，硼原子的最高配位数不超过4，这是因为 ()
A．硼原子半径小
B．配位原子半径大
C．硼与配位原子电负性差小
D．硼原子无价层d轨道
在一块掺硼的非简并p型硅样品中含有一定浓度的铟，在室温(300K)下测得电阻率为ρ=2.84Ω·cm。已知所掺的硼浓度为Na1=1016/cm3，硼的电离能为Ea1-Ev=0.045eV，铟的电离能为Ea2-Ev=0.16eV，试求样品中铟的浓度Na2[室温下为Nv=1.04×1019/cm3，μp=200cm2/(V·s)]。
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个硼原子,已知电子迁移率为1300
/vs,空穴为500
