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提问人:网友abcbuzhiming
发布时间:2022-01-07
[主观题]
N型硅材料中每立方厘米中掺入[图]个硼原子,已知电子迁...
N型硅材料中每立方厘米中掺入个硼原子,已知电子迁移率为1300/vs,空穴为500/vs,该半导体的电导率为 /
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N型硅材料中每立方厘米中掺入个硼原子,已知电子迁移率为1300/vs,空穴为500/vs,该半导体的电导率为 /
已知硅半导体中每立方厘米掺有1个硼原子,则:
A、这是N-Si
B、电子浓度为
C、该半导体中空穴为少数载流子
D、该半导体的费米能级在禁带中心下方
已知Si中每立方厘米掺有个硼原子
A、这是N-Si
B、该半导体中费米能级在禁带中心的上方
C、该半导体中NA=
D、该半导体中电子浓度为
A.在中等浓度p型硅上扩散掺入n型杂质;
B.在重掺杂p型硅上扩散掺入n型杂质;
C.在本征硅上扩散掺入中等浓度的杂质硼。
D.在本征硅上扩散掺入高浓度的杂质硼,同时进行氧化。
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