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提问人：网友jiji2008 发布时间：2022-01-07
[单选题]

题3-3-1 集成电路制造工艺中，不能制备二氧化硅薄膜的方法是： 。

A.热氧化

B.CVD

C.PVD

D.热扩散

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更多“题3-3-1 集成电路制造工艺中，不能制备二氧化硅薄膜的方法是： 。”相关的问题
第1题
集成电路的基本制造工艺是：首先是对圆柱形的单晶硅进行切片，生产大片的（），并在其上制造出大量电路单元，然后按照制造的电路单元被切割成方形的（）。
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第2题
下列关于集成电路的说法中错误的是()
A．集成电路是现代信息产业的基础之一

B．集成电路大多在硅衬底上制作而成

C．集成电路的工作速度与组成逻辑门电路的晶体管尺寸无关

D．集成电路的特点是体积小、重量轻、可靠性高

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第3题
下列集成电路中具有记忆功能的是()。
A、R-S触发器集成电路

B、MOS管集成电路

C、TTL集成电路

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第4题
以下不属于集成电路设计方法的是()
A、图形化设计方法

B、基于硬件描述语言的设计方法

C、基于IP核服用的设计方法

D、基于形式逻辑的设计方法

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第5题
555芯片的4脚可以直接控制输出端3脚的电位，2脚也可以控制输出端3脚的电位，6脚也可以控制输出端3脚的电位，那么这三个引脚哪个的优先级别最高？

A、4脚

B、3脚

C、2脚

D、5脚

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第6题
下列关于CMOS集成电路描述正确的是()
A．CMOS逻辑集成电路主要有74××系列74LS××系列

B．CC××系列CD××系列和TC××系列尾数相同的集成电路不能互换使用

C．CMOS逻辑集成电路主要有C×××系列CC××系列CD××系列和TC××系列

D．CC××系列CD××系列和TC××系列是通用的，只要尾数相同，就可以互换

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第7题
混合集成电路是由半导体集成电路,膜集成电路和分离元件中()构成的集成电路。
A、至少一种

B、至少两种

C、至少三种

D、至少四种

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第8题
题3-3-2 以下对集成电路版图设计中几何设计规则描述不正确的是： 。

A、几何设计规则是版图图形编辑的依据

B、几何设计规则是设计系统生成版图的依据

C、几何设计规则是分析计算的依据

D、几何设计规则是检查版图错误的依据

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第9题
题3-3-3 集成电路制造工艺中，二氧化硅膜不能用于： 。

A、元器件的组成部分（如栅氧化层）

B、源漏极

C、互连层间绝缘介质

D、作为掩蔽膜

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第10题
题3-3-4 集成电路制造工艺中，以下不是热氧化方法的是： 。

A、干氧氧化

B、湿氧氧化

C、离子氧化

D、水蒸汽氧化

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