2、以下半于杂质半导体,说法不正确的是
A.N型半导体中多子是电子,少子是空穴
B.P型半导体可以掺磷(P)得到
C.P型半导体主要靠空穴导电
D.向硅中掺入施主杂质可以得到N型半导体
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- · 有1位网友选择 D,占比12.5%
A.N型半导体中多子是电子,少子是空穴
B.P型半导体可以掺磷(P)得到
C.P型半导体主要靠空穴导电
D.向硅中掺入施主杂质可以得到N型半导体
A.在本征半导体中掺入施主杂质,可以获得N型半导体,掺杂后电子为多子,空穴为少子;
B.在本征半导体中掺入施主杂质,可以获得P型半导体,掺杂后电子为多子,空穴为少子;
C.在本征半导体中掺入受主杂质,可以获得N型半导体,掺杂后空穴为多子,电子为少子;
D.在本征半导体中掺入受主杂质,可以获得P型半导体,掺杂后电子为多子,空穴为少子。
A.该半导体为N型半导体,多子是电子
B.该半导体为N型半导体,多子是空穴
C.该半导体为P型半导体,多子是电子
D.该半导体为P型半导体,多子是空穴
杂质半导体中,空穴的浓度比电子浓度高得多的,主要依靠空穴导电的称为()。
A、N型半导体
B、P型半导体
C、电子型半导体
下述说法中,正确的是( )。
(A) 本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电,而杂质半导体(n型或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参与导电,所以本征半导体导电性能比杂质半导体好
(B) n型半导体的导电性能优于p型半导体的,因为n型半导体是负电子导电,p型半导体是正离子导电
(C) n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近导带的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到导带中去,大大提高了半导体导电性能
(D) p型半导体的导电机构完全取决于满带中空穴的运动
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