A.在N型半导体内掺入足够的三价元素,可以将其改型为P型半导体
B.由于PN结交界面处有电位差,所以当把PN结两端短路时,就有电流流过
C.PN结的伏安特性方程可以描述死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区的特性
D.因为P型半导体的多子是空穴,少子是自由电子,因此P型半导体带正电
A.由于PN结交界面处有电位差,所以当把PN结两端短路时,就有电流流过
B.在N型半导体内掺入足够的三价元素,可以将其改型为P型半导体
C.PN结的伏安特性方程可以描述死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区的特性
D.因为P型半导体的多子是空穴,少子是自由电子,因此P型半导体带正电
A.在本征半导体中掺入施主杂质,可以获得N型半导体,掺杂后电子为多子,空穴为少子;
B.在本征半导体中掺入施主杂质,可以获得P型半导体,掺杂后电子为多子,空穴为少子;
C.在本征半导体中掺入受主杂质,可以获得N型半导体,掺杂后空穴为多子,电子为少子;
D.在本征半导体中掺入受主杂质,可以获得P型半导体,掺杂后电子为多子,空穴为少子。
A.N型半导体中多子是电子,少子是空穴
B.P型半导体可以掺磷(P)得到
C.P型半导体主要靠空穴导电
D.向硅中掺入施主杂质可以得到N型半导体
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