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提问人：网友johnnyrzl
发布时间：2022-01-07
[主观题]
对于漂移晶体管，为提高电流放大系数，可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比，减小基区宽度，提高基区自建电场因子，提高基区少子寿命和迁移率等措施。
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第4题
设计晶体管电流放大系数时，通常采用使注入效率等于基区输运系数的方案确定发射区和基区的结构参数。设均匀掺杂晶体管的发射区和基区少子扩散系数均等于10cm（^2)/S，少子寿命等于10（^-7)/S （1） 如果要求电流放大系数β0不小于100，则要求发射区Gummel数至少是基区Gummel数的多少倍？基区宽度不能大于多少？ （2）如果要求电流放大系数β0不小于1000，则要求发射区Gummel数至
第6题
（1）若均匀掺杂NPN晶体管的参数如下所示，请采用理想晶体管模型计算该晶体管的注入效率、基区输运系数和共射极电流放大系数β0 发射区掺杂浓度NE＝5×10（^18)/CM（^3)，基区掺杂浓度NB＝1×10（^16)/CM（^3) 发射区宽度XE＝0.20μm， 基区宽度XB＝0.10μm 发射区少子扩散系数DE=10CM（^2)/S，基区少子扩散系数DB=25CM（^2)/S 发射区少子寿命τE
