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提问人：网友privatezhu
发布时间：2022-01-06
[主观题]
MOSFET的沟道夹断总是先于速度饱和发生。
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第3题
如图所示电路中，已知FET的IDSS=2mA，VP= -2V。 则当器件工作在线性放大区， ID=2mA时RS最大取值为 ________ kΩ。 当RS=20kΩ时的ID约为________mA。（只输入数值，数值间用分号隔开） 
第4题
以n沟增强型MOSFET为例,以下关于沟道长度调变效应的说法错误的是()。
A、沟道长度调变效应指的是增加，出现夹断点，沟道长度减小，从而导致漏-源饱和电流增加
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B、沟道长度调变效应会使MOS输出特性曲线饱和区段发生倾斜，输出阻抗降低
C、由于沟道长度调变效应，在n型沟道中运动的电子到达夹断处时，会被耗尽区电场扫进漏区，从而导致增益变小
D、沟道长度调变效应的工作机理与双极型晶体管的基区宽度调变效应有些相似
第7题
下面关于JFET描述正确的是 。
A、vGS=0，则沟道中无法流过电流
B、P沟道JFET工作时，应满足栅源电压vGS＜0
C、JFET的沟道电流，主要受到栅源电压vGS的影响
D、N沟道JFET工作时，应满足栅源电压vGS＜0
继续增大时，沟道夹断点向漏极移动。第10题
电路如图所示，已知场效应管的IDSS = 4mA，夹断电压UP =–4V， VDD = 20V，静态电压UGS =–2V，该电路的静态电流ID为（）。 
A、2mA
B、4mA
C、1mA
D、0
