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提问人:网友redpear
发布时间:2022-01-07
[主观题]
某铝栅p沟道mosfet的衬底和源极短接,其参数如下:tox=10nm,衬底掺杂浓度为
某铝栅P沟道MOSFET的衬底和源极短接,其参数如下:Tox=10nm,衬底掺杂浓度为,氧化层电荷面密度为,金属栅和衬底的功函数差为-0.3V,空穴迁移率为,电子迁移率为(1)该MOSFET的衬底费米势为多少? (2)该MOSFET的单位面积氧化层电容是多少? (3)写出该MOSFET的阈值电压公式,并计算阈值电压?
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