题目内容
(请给出正确答案)
提问人:网友mmmwar
发布时间:2022-01-07
[主观题]
N沟道增强型场效晶体管,当栅源电压UGS >UGS(th)(开启电压)时,场效晶体管导通,产生漏极电流ID,随栅源电压UGS的变化ID随之变化。
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某N沟道场效应管的开启电压UGS(th)=4V,其UGS=6V,UDS=12V,则该场效应管工作在( )。
A.可变电阻区 B.恒流区 C.截止区 D.无法判断
某场效应管的转移特性如图所示,该管为()。
A、P沟道增强型MOS管
B、P沟道耗尽型MOS管
C、N沟道增强型MOS管
D、N沟道耗尽型MOS管
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