三极管具有()的特点。
A.发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度
B. 基区非常薄
C. 集电区掺杂浓度较小,集电结的面积比发射结的面积大
D. 以上三项
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A.发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度
B. 基区非常薄
C. 集电区掺杂浓度较小,集电结的面积比发射结的面积大
D. 以上三项
A . 集电区掺杂浓度较大
B . 发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度
C . 基区非常薄
D . 集电结的面积比发射结的面积大
E . 集电区掺杂浓度较小
A.发射区的掺杂浓度比基区要低
B.集电结面积可大可小,对三极管无影响
C.发射区掺杂浓度可大可小,对三极管无影响
D.发射区、基区、集电区中,发射区掺杂浓度要最高
A.三极管内部发射区和集电区是同类型的杂质半导体,掺杂浓度一样
B.三极管是电流控制电流的器件
C.三极管的电流放大倍数会受温度影响。
D.发射区的掺杂浓度比集电区高很多。
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