三极管内部结构具有()的特点。
A . 集电区掺杂浓度较大
B . 发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度
C . 基区非常薄
D . 集电结的面积比发射结的面积大
E . 集电区掺杂浓度较小
A . 集电区掺杂浓度较大
B . 发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度
C . 基区非常薄
D . 集电结的面积比发射结的面积大
E . 集电区掺杂浓度较小
A.发射区的掺杂浓度比基区要低
B.集电结面积可大可小,对三极管无影响
C.发射区掺杂浓度可大可小,对三极管无影响
D.发射区、基区、集电区中,发射区掺杂浓度要最高
A.发射区重掺杂,基区很薄且轻掺杂,集电区面积大且掺杂较发射区轻;
B.集电区重掺杂,基区很薄且轻掺杂,发射区面积大且掺杂较集电区轻;
C.基区重掺杂,集电区很薄且轻掺杂,发射区面积大且掺杂较基区轻;
D.发射区重掺杂,集电区很薄且轻掺杂,基区面积大且掺杂较发射区轻。
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