关于间接转换型平板探测器结构的描述,错误的是()。
A.表面电极
B.基板层
C.光电二极管
D.非晶硅TFT阵列
E.碘化铯晶体层
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- · 有2位网友选择 E,占比22.22%
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- · 有1位网友选择 D,占比11.11%
A.表面电极
B.基板层
C.光电二极管
D.非晶硅TFT阵列
E.碘化铯晶体层
A.属于间接转换型平板探测器
B.常见的多为碘化铯+非晶硅型
C.碘化铯层的晶体直接生长在基板上
D.碘化铯针状结构明显增加了X线的伪影
E.X线探测、图像采集和读出都是相互独立的过程
A.[‘aa’,‘bb’,‘dd’]
B.[‘aa’,‘cc’,‘dd’]
C.[‘cc’,‘bb’,‘dd’]
D.[‘aa’,‘bb’,‘cc’,‘dd’]
A.X线光子→闪烁晶体→可见光→非晶硅光电二极管阵列→电信号→逐行取出,量化为数字信号→X线数字图像
B.X线光子→非晶硅光电二极管阵列→闪烁晶体→可见光→电信号→逐行取出,量化为数字信号→X线数字图像
C.X线光子→非晶硅光电二极管阵列→可见光→闪烁晶体→电信号→逐行取出,量化为数字信号→X线数字图像
D.X线光子→可见光→非晶硅光电二极管阵列→闪烁晶体→电信号→逐行取出,量化为数字信号→X线数字图像
E.X线光子→电信号→非晶硅光电二极管阵列→闪烁晶体→可见光→逐行取出,量化为数字信号→X线数字图像
A.碘化铯的其针状(或称柱状)结构
B.闪烁体层制作得较厚
C.像素太小
D.像素太大
E.光电二极管/晶体管阵列放置在闪烁体的射出表面上
A.{1: 'aa', 2: 'dd', 3: 'cc'}
B.{1: 'aa', 2: 'bb', 3: 'cc',2:'dd'}
C.{1: 'aa', 2: 'bb', 3: 'cc'}
D.{1: 'aa', 2: 'bb', 3: 'cc',2:'bb'}
关于DR探测器的类型,错误的是
A.非晶硒平板型探测器
B.非晶硅平板型探测器
C.碘化铯平板型探测器
D.多丝正比室扫描DR
E.CCD摄像机型DR
A./aa/bb/DD
B./aa/cc/JDK
C./aa/bb/JDK
D./aa/cc/DD
属于DR成像直接转换方式的是
A.非晶硒平板探测器
B.碘化铯+非晶硅平板探测器
C.利用影像板进行X线摄影
D.固定IP+CCD摄像机阵列
E.硫氧化钆:铽+非晶硅平板探测器
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