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提问人：网友154336271
发布时间：2022-11-06
[判断题]
当温度升高时，由于二极管的正向电流增加，反向击穿电压会增加（）
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第2题
当温度升高后，二极管的正向电压______，反向电流______。 A．增大B．减小C．基本不变
当温度升高后，二极管的正向电压______，反向电流______。
A．增大B．减小C．基本不变
第3题
一个硅二极管工作在0.5V的正向电压下，当温度从25℃上升到150℃时，计算电流增加的倍数．假设I≈I0eV／（2VT)，且I0
一个硅二极管工作在0.5V的正向电压下，当温度从25℃上升到150℃时，计算电流增加的倍数．假设I≈I0eV/(2VT)，且I0每10℃增加一倍．
第5题
温度升高时，二极管在正向电流不变的情况下的正向压降______，反向电流______。 A．增大 B．减小 C．不变
温度升高时，二极管在正向电流不变的情况下的正向压降______，反向电流______。
A．增大 B．减小 C．不变
第6题
齐齐哈尔工程学院2019—2020学年第二学期月考试卷（一） ...
齐齐哈尔工程学院2019—2020学年第二学期月考试卷（一） 课程名称：《模拟电子技术》 一、填空题（共40分，每题2分） 1.半导体中有两种载流子：自由电子与（）。 2.因浓度差而产生的运动称为（）。 3.将两种杂质半导体制作在同一个硅片（或锗片）上，在它们的交界面处，上述两种运动最终达到动态平衡，从而形成（）。 4.三极管中漂移运动形成（）电流。 5. 由一个PN结组成，（）后在一定的电流范围内端电压基本不变，为稳定电压。 6.PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。 7.漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。 8.所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成断开； 9.P型半导体中空穴为（）载流子，自由电子为（）载流子。 10.三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。 11.当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。 二、选择题（共10分，每题2分） 1.二极管两端电压大于（）电压时，二极管才导通。 A. 击穿电压 B. 死区 C. 饱和 D.开启电压 2.当温度升高时，二极管的正向电压（）。 A. 增大 B. 减小 C.不变 D.无法判定 3.晶体管在放大工作区时，随Ib的增加β值（）。 A、增加 B、下降 C、不变 D无法确定 4.三极管的反向电流ICBO是由（）组成的。 A、多数载流子 B、少数载流子 C、多数载流子和少数载流子 5.如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为（） A.放大状态 B.截止状态 C.饱和状态 D不能确定。 三、判断题（共20分，每题2分） 1.PN结有单向导电性。（） 2.三极管有三区、三极和三个PN结。（） 3.三极管的发射结反偏，集电结正偏，起放大作用。（） 4.复合运动形成的基极电流。() 5.二极管的热击穿可逆，电击穿不可逆。() 6.本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。（） 7.未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。（） 8.半导体中的空穴带正电。 （） 9.P型半导体带正电，N型半导体带负电。 （） 10.稳压二极管工作在反向击穿状态。（） 四、画图题（共30分） 电路如图所示，已知ui＝5sinωt (V)，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出幅值。
第9题
当温度升高时，二极管正反向特性曲线的特点是。
A.正向特性曲线左移，反向特性曲线上移。
B.正向特性曲线左移，反向特性曲线下移。
C.正向特性曲线右移，反向特性曲线上移。
D.正向特性曲线右移，反向特性曲线下移。
第10题
设某二极管在正向电流ID＝10mA时，其正向压降UD＝0.6V。在UD保持不变的条件下，当二极管的结温升高10℃，ID将____。
A.小于10mA
B.大于10mA
C.等于10mA
D.不存在
