题目内容
（请给出正确答案）
A.温度提高导电能力提高
B. 有两种载流子
C. 电阻率很小，接近金属导体
D. 参杂质后导电能力提高
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A.本征半导体受到热激发，会产生自由电子；
B.本征半导体中，电子和空穴总是成对产生；
C.温度越高，本征半导体中电子和空穴浓度越高；
D.本征半导体中的电子和空穴浓度不受外界环境影响。
A.在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子；
B.在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子；
C.在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后空穴为多子，电子为少子；
D.在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子。
A.本质电导是指导带中的电子导电和价带中的空穴导电同时存在
B.本征导电的载流子电子和空穴的浓度不等
C.本征电导的载流子不一定全部是由半导体晶格本身提供
D.低温下，杂质半导体的本征电导起主要作用
A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。
B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体。
C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。
D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体。
E、n型半导体依靠导带电子导电。
F、p型半导体依靠价带空穴导电。
G、本征半导体中载流子由本征激发产生。
H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。
I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。
J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。
K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生。
L、杂质半导体中也存在本征激发的过程。
B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体
C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体
D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体
E、n型半导体依靠导带电子导电
F、p型半导体依靠价带空穴导电
G、本征半导体中载流子由本征激发产生
H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度
I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子
J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴
K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生
L、杂质半导体中也存在本征激发的过程
A.半导体、本征半导体均具有导电能力。
B.二极管特性曲线分三个区：正向工作区、反向工作区、击穿区。
C.二极管的主体是PN结，但两者特性仍有区别。
D.当PN结外加正向电压超过一定大小时，PN结将被击穿。
A.本征半导体是纯净的具有晶体结构的半导体
B.本征半导体导电能力很弱
C.本征半导体硅或者锗中参入五价元素（比如磷），则变为N型半导体
D.在P型半导体中.自由电子是多数载流子，空穴则是少数载流子
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