题目内容
(请给出正确答案)
提问人:网友bier4446
发布时间:2022-01-06
[主观题]
本征半导体中,有电子和空穴两种载流子
简答题官方参考答案
(由简答题聘请的专业题库老师提供的解答)
查看官方参考答案
由电阻率为1Ω·cm的P型锗和0.1Q·cm的n型锗半导体组成一个pn结,计算在室温(300K)时,内建电位差VD和阻挡层宽度。已知在上述电阻率下,p区的空穴迁移率μp=1650cm2/(V·s),n区电子的迁移率μn=3000cm2/(V·s),锗的本征载流子浓度ni=2.5×1013cm-3。
为了保护您的账号安全,请在“简答题”公众号进行验证,点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证,验证成功后方可继续查看答案!