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（请给出正确答案）
下述说法中，正确的是( )。
(A) 本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电，而杂质半导体(n型或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参与导电，所以本征半导体导电性能比杂质半导体好
(B) n型半导体的导电性能优于p型半导体的，因为n型半导体是负电子导电，p型半导体是正离子导电
(C) n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近导带的底部，使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到导带中去，大大提高了半导体导电性能
(D) p型半导体的导电机构完全取决于满带中空穴的运动
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B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体
C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体
D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体
E、n型半导体依靠导带电子导电
F、p型半导体依靠价带空穴导电
G、本征半导体中载流子由本征激发产生
H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度
I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子
J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴
K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生
L、杂质半导体中也存在本征激发的过程
B、电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率
C、中性杂质不会对半导体产生影响
D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和
E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差
F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体
G、杂质会在半导体的禁带中引入能级
H、如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷
I、如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心
J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近，该杂质可有效促进载流子的复合，缩短非平衡载流子的寿命，起复合中心的作用，如掺入硅中的金
K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近，该杂质可暂时收容非平衡载流子，延长了非平衡载流子的寿命，起陷阱中心的作用
B.硅的电导率对外界因素(如光、热、磁等)高度敏感
C.N型半导体中也有自由电子，但数量很少，称为少数载流子
D.N型半导体和P型半导体的导电能力都比本征半导体大得多
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