半导体和绝缘体都只有满带和空带，而没有导带，为什么二者具有不同性质？

A.根据能带理论，绝缘体有满带和空带

B.半导体有满带和空带，但禁带宽度较窄

C.分子间力没有饱和性和方向性，氢链有饱和性和方向性

D.金属钾是体心立方堆积，每个晶胞中只有一个钾原子

A.导体是在一系列能带中除了电子填充满的能带以外，还有部分被电子填充的能带，称为导带，后者起着导电作用。

B.本征半导体和绝缘体的能带填充情况是相同的，只有满带和空带，它们之间的差别只是价带和导带之间的能带隙不同。

C.导带中只有部分状态被电子填充，外场的作用会使布里渊区的状态分布发生变化。所有的电子状态以相同的速度沿着电场的反方向运动。

D.能带是不满带，和电场同方向上运动的电子较多，因此产生电流。

A.导带也是空带

B.满带与导带重合

C.满带中总是有空穴，导带中总是有电子

D.禁带宽度较窄

A.具有导带或重带

B.只有满带和空带但禁带较宽

C.只有满带和空带但禁带较窄

D.同时具有满带、空带和导带

A.半导体有满带和空带，绝缘体有不满带

B.半导体的带隙小，绝缘体的带隙大

C.半导体的带隙大，绝缘体的带隙小

D.半导体有不满带，绝缘体有满带和空带

A.满

B.空

C./

D./

A.半导体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带;绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较宽的禁带

B.半导体是：上面是一个满带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带;绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带

C.半导体是：上面是一个半满带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带;绝缘体是：上面是一个满带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带

D.半导体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较宽的禁带;绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带

A.半导体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带； 绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较宽的禁带。

B.半导体是：上面是一个满带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带； 绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带。

C.半导体是：上面是一个半满带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带； 绝缘体是：上面是一个满带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带。

D.半导体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较宽的禁带； 绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带。

A.绝缘体

B.半导体

C.导体

A.N型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部，使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去，大大提高了半导体导电性能。

B.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参予导电，而杂质半导体(N型或P型)只有一种载流子(电子或空穴)参予导电，所以本征半导体导电性能比杂质半导体好。

C.N型半导体的导电性能优于P型半导体，因为N型半导体是负电子导电，P型半导体是正离子导电。

D.P型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动。