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提问人：网友Dume2021 发布时间：2022-01-07
[单选题]

关于“半导体和绝缘体能带结构”的描述，正确的是？（)

A.半导体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带;绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较宽的禁带

B.半导体是：上面是一个满带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带;绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带

C.半导体是：上面是一个半满带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带;绝缘体是：上面是一个满带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带

D.半导体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较宽的禁带;绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带

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1天前
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1天前
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1天前
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更多“关于“半导体和绝缘体能带结构”的描述，正确的是?()”相关的问题
第1题
与绝缘体比较,半导体能带结构的特点是()。
A、满带与导带重合

B、禁带宽度较宽

C、禁带宽度较窄

D、以上都是错的

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第2题
下列关于能带结构的说法中,错误的是()。
A、硅是间接带隙半导体

B、禁带宽度具有负的温度系数

C、室温下，硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV

D、位于能带底的电子，其有效质量为正，位于能带顶的电子，其有效质量为负

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第3题
以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是()。
A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体

B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体

C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体

D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体

E、n型半导体依靠导带电子导电

F、p型半导体依靠价带空穴导电

G、本征半导体中载流子由本征激发产生

H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度

I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子

J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴

K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生

L、杂质半导体中也存在本征激发的过程

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第4题
如果计入表面态的影响,当表面态为施主态,且态密度足够大时,关于异质结能带结构的描述,正确的是?()
A、此时异质结界面两边的状态完全由界面态电荷决定，与功函数等没有关系

B、对于 n 型半导体，在半导体表面形成很薄的多子积累层

C、对于 p 型半导体，在半导体表面形成很厚的耗尽层

D、对于n型半导体，在半导体表面形成很厚的耗尽层

E、对于p 型半导体，在半导体表面形成很薄的多子积累层

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第5题
半导体中的光吸收,根据能带结构的特征,可以分为以下哪几类?()
A、带间吸收

B、带内吸收

C、能带与局部能级间的吸收

D、局部能级间的吸收

E、较高能量带间跃迁吸收

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第6题
关于半导体的热导率,以下说法正确的是?()
A、半导体中热传导绝大部分是声子的贡献

B、声子对热传导率的贡献实质上就是格波之间的散射过程的贡献

C、半导体的热导率与电导率之间存在某种联系

D、通过双极扩散的机构，电子和空穴共同将能量从高温端运载到低温端

E、半导体的热导率是由载流子的运动和声子的运动两种机构决定的

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第7题
关于半导体发光,以下说法正确的是?()
A、在辐射复合过程中，电子从高能级向低能级跃迁，伴随着发射光子，就是半导体发光

B、处于激发态上的受激电子跃迁回基态的辐射复合，才可能实现发光

C、在辐射复合过程中，电子从高能级向低能级跃迁，伴随着发射声子，就是半导体发光

D、在非辐射复合过程中，电子从高能态向低能态跃迁的同时向晶格发射声子，就是半导体发光

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第8题
关于两种半导体带电的说法,正确的是()。
A.P型半导体主要靠空穴导电，所以定是带正电

B.N型半导体主要靠电子导电，所以定是带负电

C.P型半导体和N型半导体对外都不导电

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第9题
Ge的导带底和价带顶分别位于k空间的什么位置?()
A、[111]及其等价方向;k=0处

B、[110]及其等价方向;k=0处

C、[100]及其等价方向;k=0处

D、k空间原点;k空间原点

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