非晶硅和非晶硒两种平板探测器成像原理的不同,主要区别在于()
A.信号读出
B. 信号放大
C. A/D转换
D. 信号输出
E. 探测元阵列层
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A.信号读出
B. 信号放大
C. A/D转换
D. 信号输出
E. 探测元阵列层
属于DR成像直接转换方式的是
A.非晶硒平板探测器
B.碘化铯+非晶硅平板探测器
C.利用影像板进行X线摄影
D.固定IP+CCD摄像机阵列
E.硫氧化钆:铽+非晶硅平板探测器
属于DR成像间接转换方式的部件是
A.增感屏
B.非晶硒平板探测器
C.碘化铯+非晶硅探测器
D.半导体狭缝线阵探测器
E.多丝正比电离室
属于DR成像直接转换方式的部件是
A.闪烁体+CCD摄像机阵列
B.非晶硒平板探测器
C.碘化铯+非晶硅探测器
D.半导体狭缝线阵探测器
E.多丝正比电离室
A.使用了光电导材料,能将所吸收的光子转换成电荷
B.典型材料为非晶硒(a-Se)
C.每个薄膜晶体管(TFT)形成一个采集图像的最小单元
D.非晶硒层直接将X线转换成电信号
E.与非晶硅探测器的工作原理相同
关于DR探测器的类型,错误的是
A.非晶硒平板型探测器
B.非晶硅平板型探测器
C.碘化铯平板型探测器
D.多丝正比室扫描DR
E.CCD摄像机型DR
应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是
A.砸鼓检测器
B.IP成像转换器
C.直接转换平板探测器
D.间接转换平板探测器
E.多丝正比室检测器
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