题目内容
（请给出正确答案）
A.在光辐射的照射下，半导体内因吸收光子产生电子空穴对使半导体的电导率发生改变的现象
B.在光辐射的照射下，半导体内因吸收光子产生电子空穴对，且产生的光电子逸出体外参与导电的现象。
C.利用光辐射照射P-N结空间电荷区及结区两侧扩散长度范围内区域产生的电子空穴对在P-N结两端形成的电压变化。
D.利用光辐射照射P-N结结区两侧扩散长度范围内区域产生的电子空穴对在P-N结两端形成的电压变化。
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A.在光辐射的照射下，半导体内因吸收光子产生电子空穴对，导致半导体自身的电学特性发生改变的现象。
B.在光辐射的照射下，半导体内因吸收光子产生电子空穴对，且所产生的光电子发射到半导体外的现象。
C.在红外辐射入射下，探测器材料接收外界光子能量受热升温，进而产生与温度相关的电学性质改变的现象。
D.半导体材料内部载流子在电场作用下产生双极运动的现象。
A.在光辐射的照射下，半导体内因吸收光子产生电子空穴对，且所产生的光电子发射到半导体外的现象。
B.在光辐射的照射下，半导体内因吸收光子产生电子空穴对，导致半导体自身的电学特性发生改变的现象。
C.在红外辐射入射下，探测器材料接收外界光子能量受热升温，进而产生与温度相关的电学性质改变的现象。
D.半导体材料内部载流子在电场作用下产生双极运动的现象。
A.基于本征半导体光激发产生的电子空穴对工作的红外探测器
B.基于非本征半导体光激发产生的电子空穴对工作的红外探测器
C.基于光子牵引效应激发受激光电子使其迁移率变化工作的红外探测器
D.基于肖特基势垒的多子跃迁过程工作的红外探测器
E.基于霍尔效应分离光激发产生的电子空穴对工作的红外探测器
A.利用光辐射照射金属与半导体的接触势垒，通过产生的电子空穴对被势垒区的内建场分开来改变接触势垒的高度（结电压）。
B.光辐射照射激发到量子阱子能带上的电子使之通过隧道效应或跃迁到自由态形成光电流。
C.利用光辐射照射金属与半导体的接触势垒，通过产生的多子越过势垒进入耗尽层来改变接触势垒的高度（结电压）。
D.光辐射照射激发到导带上的电子使之通过隧道效应或跃迁到自由态形成光电流。
A.利用光辐射照射金属与半导体的接触势垒，通过产生的多子越过势垒进入耗尽层来改变接触势垒的高度（结电压）。
B.利用光辐射照射金属与半导体的接触势垒，通过产生的电子空穴对被势垒区的内建场分开来改变接触势垒的高度（结电压）。
C.光辐射照射激发到量子阱子能带上的电子使之通过隧道效应或跃迁到自由态形成光电流。
D.光辐射照射激发到导带上的电子使之通过隧道效应或跃迁到自由态形成光电流。
A.是电子从价带到导带的跃迁，产生电子-空穴对
B.产生本征吸收的条件是入射光子能量大于等于材料的禁带宽度
C.是电子从导带到价带的跃迁，并伴随发射光子能量
D.产生本征吸收的条件是入射光子能量小于等于材料的禁带宽度
A.是电子从价带到导带的跃迁，产生电子-空穴对
B.产生本征吸收的条件是入射光子能量大于等于材料的禁带宽度
C.是电子从导带到价带的跃迁，并伴随发射光子能量
D.产生本征吸收的条件是入射光子能量小于等于材料的禁带宽度
A、材料吸收光子而产生电子-空穴对，使导电性能加强，电导率增加。
B、导带中的电子受到能量大于或等于禁带宽度的光子轰击，并使其由导带越过禁带跃入价带，从而使电导率变大。
C、价带中的电子受到能量大于或等于禁带宽度的光子轰击，并使其由价带越过禁带跃入导带，从而使电导率变大，电阻率减少。
D、无
A.只要用光照射半导体材料，就可以产生非平衡载流子
B.入射光子能量必须大于等于半导体的禁带宽度
C.非平衡电子和空穴成对产生
D.受到入射能量的激发，价带电子跃迁到导带，产生非平衡载流子
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