题目内容
（请给出正确答案）
A.在光辐射的照射下，半导体内因吸收光子产生电子空穴对，且所产生的光电子发射到半导体外的现象。
B.在光辐射的照射下，半导体内因吸收光子产生电子空穴对，导致半导体自身的电学特性发生改变的现象。
C.在红外辐射入射下，探测器材料接收外界光子能量受热升温，进而产生与温度相关的电学性质改变的现象。
D.半导体材料内部载流子在电场作用下产生双极运动的现象。
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A.在光辐射的照射下，半导体内因吸收光子产生电子空穴对，导致半导体自身的电学特性发生改变的现象。
B.在光辐射的照射下，半导体内因吸收光子产生电子空穴对，且所产生的光电子发射到半导体外的现象。
C.在红外辐射入射下，探测器材料接收外界光子能量受热升温，进而产生与温度相关的电学性质改变的现象。
D.半导体材料内部载流子在电场作用下产生双极运动的现象。
A.在光辐射的照射下，半导体内因吸收光子产生电子空穴对使半导体的电导率发生改变的现象
B.在光辐射的照射下，半导体内因吸收光子产生电子空穴对，且产生的光电子逸出体外参与导电的现象。
C.利用光辐射照射P-N结空间电荷区及结区两侧扩散长度范围内区域产生的电子空穴对在P-N结两端形成的电压变化。
D.利用光辐射照射P-N结结区两侧扩散长度范围内区域产生的电子空穴对在P-N结两端形成的电压变化。
A.是电子从价带到导带的跃迁，产生电子-空穴对
B.产生本征吸收的条件是入射光子能量大于等于材料的禁带宽度
C.是电子从导带到价带的跃迁，并伴随发射光子能量
D.产生本征吸收的条件是入射光子能量小于等于材料的禁带宽度
A.是电子从价带到导带的跃迁，产生电子-空穴对
B.产生本征吸收的条件是入射光子能量大于等于材料的禁带宽度
C.是电子从导带到价带的跃迁，并伴随发射光子能量
D.产生本征吸收的条件是入射光子能量小于等于材料的禁带宽度
A.发射的光电子的动能一定是零；
B.用单色光照射不同金属表面时，产生光电子的最大动能不变；
C.照射光的波长大于临界波长（恰好能够发生光电效应的波长）即可产生光电子；
D.照射光的波长小于临界波长（恰好能够发生光电效应的波长）时，即可产生光电子
用波长400nm的紫光照射金属表面时，产生的光子速度为5×105m/S。试求光电子的动能和光电效应的截止频率。
A.光电效应和康普顿效应均不可能发生
B.电子可以完全吸收光子的能量成为光电子逸出，因而未违反能量守恒定律
C.电子不可能完全吸收光子的能量，而是与光子弹性碰撞，引起康普顿散射
D.根椐两者碰撞夹角来决定是否完全吸收光子能量，光电效应和康普顿效应均可能发生。
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