题目内容
（请给出正确答案）
A.由一个晶体管和一个小电容组成
B.其内容一般只能保存2ns
C.断电后信息丢失
D.是内存的主体
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A.Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ
B.Ⅰ、Ⅲ、Ⅳ
C.Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ
D.Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ
A.Ⅱ、Ⅲ和Ⅳ
B.Ⅰ、Ⅲ和Ⅳ
C.Ⅰ、Ⅱ和Ⅲ
D.Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ和Ⅳ
下列关于DRAM刷新的说法中，错误的是()。
A．刷新操作按行进行，一次刷新一行中的全部存储单元
B．刷新所需的行地址是由DRAM内部的刷新计数器(行地址生成器)给出
C．集中刷新的“死时间”要大于异步刷新的“死时间”
D．分散刷新方式同样存在“死时间”
下列关于DRAM刷新的说法中，错误的是()。
A．刷新是指对DRAM中的存储电容重新充电
B．刷新是通过对存储单元进行“读但不输出数据”的操作来实现
C．由于DRAM内部设有专门的刷新电路，所以访存期间允许进行刷新
D．刷新期间不允许访存，这段时间称为“访存死区(也叫死时间)”
下列关于SRAM和DRAM的论述中，错误的是()。
A．SRAM通常用于实现CaChe，DRAM用于实现主存
B．由于容量大，DRAM采用行列地址复用技术，地址引脚数量仅为地址宽度的一半
C．控制线RAS和CAS是DRAM特有的，分别控制从地址线上读行地址和列地址
D．SRAM和DRAM芯片都有片选信号线CS
以下说法中错误的是()。
A．与DRAM相比，SRAM的集成度低，存取速度快
B．PC机的主存储器常由DRAM构成
C．RAM需要刷新，且断电后信息会丢失
D．ROM是一种非易失性存储器，断电后仍可保持记忆
A.DRAM的存储元是由一个MOS晶体管和电容器组成的记忆电路
B.DRAM的存储元是一个触发器，它具有两个稳定的状态
C.电容器上的电荷量来体现所存储的信息
D.DRAM的读操作通常伴随着刷新操作
A.提供DRAM刷新定时
B.按照DRAM刷新优先于读写的原则为DRAM提供仲裁
C.通过仲裁可以避免读写和刷新操作的冲突
D.产生符合DRAM操作的控制信号
A.DRAM芯片电路简单，集成度高，工耗小，成本低
B.SRAM芯片电路复杂，集成度低，工耗大，成本高
C.DRAM工作速度快，适合用作Cache
D.无论是DRAM还是SRAM，当关机或断电时，其中的信息都将随之丢失
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