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提问人:网友liupan129 发布时间:2022-01-07
[单选题]

下列关于MOS模型的说法正确的有()

A.MOS器件的大信号模型一般由I/V特性关系式,各寄生电容计算式等推导建立

B.当信号相对直流偏置工作点而言较小且不会显著影响直流工作点时,可用小信号模型简化计算

C.MOS器件的低频小信号模型,主要考虑了跨导,体效应以及沟道调制效应等参数

D.MOS器件的高频小信号模型,除考虑跨导、体效应以及沟道调制效应等参数,还需要考虑各个寄生电容和寄生电阻的影响

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匿名网友[140.***.***.180]选择了 C
1天前
匿名网友[94.***.***.161]选择了 A
1天前
匿名网友[148.***.***.7]选择了 B
1天前
匿名网友[124.***.***.159]选择了 C
1天前
匿名网友[116.***.***.231]选择了 C
1天前
匿名网友[181.***.***.140]选择了 B
1天前
匿名网友[59.***.***.56]选择了 D
1天前
匿名网友[19.***.***.118]选择了 B
1天前
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更多“下列关于MOS模型的说法正确的有()”相关的问题
第1题
以下关于理想MOS结构的说法中,正确的是()。
A、不考虑Si-SiO2界面的结构

B、不考虑金属和半导体之间的功函数之差

C、金属和半导体之间不会通过SiO2层交换电子

D、都正确

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第2题
以下关于MOS倒相器的说法不正确的是()。
A、NMOS漏极接VDD,源极加一个负载电阻,即构成一个倒相器

B、当VGS=0,NMOS倒相器处于截止状态,VDS接近VDD

C、当NMOS管导通时,输出电压VD下降

D、管子工作于截止与导通两个状态,故倒相器起了开关的作用

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第3题
以下关于MOS空间电荷区宽度的说法中,正确的是()。
A、半导体表面反型时,空间电荷区宽度达到最大值

B、空间电荷区宽度最大时,强反型区的电子或空穴会屏蔽表面电场

C、空间电荷区宽度达到最大值后,表面势的变化不会引起空间电荷区宽度的变化

D、对于n型,外加电压VG>0并逐渐增大时,空间电荷区宽度逐渐增大直至达到最大值

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第4题
下列关于MOS管最高振荡频率描述错误的是()。
A、如果考虑寄生电容,相比理想情况,最高振荡频率会降低

B、理论计算MOS管最高振荡频率时,需去除电容CGD和漏极输出电阻的影响

C、最高振荡频率与器件跨导成正比

D、最高振荡频率与器件沟道长度成正比

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第5题
以下关于MOS管跨导的说法中,错误的是()。
A、跨导反映外加栅极电压控制漏-源电流的能力

B、跨导指的是栅极电压每变化1伏特所引起的栅-源电流的变化

C、跨导标志着MOS场效应管的电压放大能力

D、MOS管的跨导越大,电压增益也越大

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第6题
下面3ds max的叙述不正确的是()。

A. 3ds max的File/Import命令不能够通过局域网输入其他计算机里的文件。

B. 3ds max的File/Export命令不能输出3DStudio的PRJ文件。

C. 3ds max的File/Export命令不能输出ASC文件。

D. 3ds max的File/Export命令不能输出ASE文件。

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第7题
当ENODEB和M2000之间的操作维护通道没有建立时,可以用LMT近端登陆ENODEB。
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第8题
MOS电路与TTL电路相比,其主要优点是()。

A. 价格便宜

B. 集成度高

C. 速度快

D. 功耗小

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第9题
下列关于NB_LOMM模块的基本描述中正确的有()。

A. NodeB逻辑操作维护模块(NB_LOMM)完成NBAP协议的公用功能,在软件上位于RNC无线网络子系统的控制面,在硬件上位于CMP板上;

B. 无线链路建立消息由NBLOMM模块直接发送给NodeB,NodeB返回响应消息;

C. NB_LOMM模块内分四个主进程,NB_MANAGER、CELL_MANAGER、CCH_MANAGER和CMEAS_MANAGER,它们各自对应多个子进程NB_WORKER、CELL_WORKER、CCH_WORKER和CMEAS_WORKER。;

D. CELL_WORKER主要负责小区的建立、重配置和删除,资源闭塞与解闭。每个CELL_WORKER对应一个小区。

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第10题
1、CPLD/FPGA最显著的特点不包括( )

A、A.高集成度

B、B.可移植性

C、C.高速度

D、D.高可靠性

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