下列关于MOS模型的说法正确的有()
A.MOS器件的大信号模型一般由I/V特性关系式,各寄生电容计算式等推导建立
B.当信号相对直流偏置工作点而言较小且不会显著影响直流工作点时,可用小信号模型简化计算
C.MOS器件的低频小信号模型,主要考虑了跨导,体效应以及沟道调制效应等参数
D.MOS器件的高频小信号模型,除考虑跨导、体效应以及沟道调制效应等参数,还需要考虑各个寄生电容和寄生电阻的影响
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