题目内容
（请给出正确答案）
A.如果考虑寄生电容，相比理想情况，最高振荡频率会降低
B.理论计算MOS管最高振荡频率时，需去除电容CGD和漏极输出电阻的影响
C.最高振荡频率与器件跨导成正比
D.最高振荡频率与器件沟道长度成正比
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A.最高振荡频率＞特征频率
B.理论计算MOS管最高振荡频率时，需去除电容和漏极输出电阻的影响
C.最高振荡频率与器件跨导成正比
D.最高振荡频率与器件栅氧层厚度成反比
A.MOS管最高振荡频率工作时一定工作在饱和区
B.MOS管最高振荡频率工作时电流均流向输出回路
C.过驱动电压越高，MOS管最高振荡频率越高
D.栅电容越大，MOS管最高振荡频率越高
A.MOS管最高振荡频率工作时一定工作在饱和区
B.MOS管最高振荡频率工作时电流均流向输出回路
C.过驱动电压越高，MOS管最高振荡频率越高
D.栅电容越大，MOS管最高振荡频率越高
A.小尺寸器件沟道长度采用栅极长度计算
B.晶格散射导致的载流子迁移率退化
C.小尺寸器件中的纵向电场
D.栅漏电容的米勒效应
通常用门电路组成的多谐振荡器最高振荡频率高于用555定时器所组成的多谐振荡器的最高振荡频率。( )
A.小尺寸器件沟道长度与栅极长度并不完全相等
B.晶格散射导致的载流子迁移率退化
C.小尺寸器件中的纵向电场
D.栅漏电容的米勒效应
A.小尺寸器件沟道长度与栅极长度并不完全相等
B.晶格散射导致的载流子迁移率退化
C.小尺寸器件中的纵向电场
D.栅漏电容的米勒效应
A.RC桥式正弦波振荡电路频率最低
B.LC正弦波振荡电路的频率最高
C.石英晶体正弦波振荡电路的频率最稳定
D.RC桥式正弦波振荡电路频率最高
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