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提问人：网友deltbay
发布时间：2022-01-07
[主观题]
一个pn结二极管作为压控电容（变容管）使用，在反向偏置电压为v=-2 v时，它的可变电容量为
一个pn结二极管作为压控电容（变容管）使用，在反向偏置电压为V=-2 V时，它的可变电容量为
，试问需要加多大反偏电压，才能使它的电容减小到
？假设接触电位是0.85 V。
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第2题
电路如图所示，稳压管的稳压值为5V。放大器A1与相应的元件组成______电路，工作在____区。（ ） 
A、积分运算，非线性
B、积分运算，线性
C、滞回比较器，非线性
D、滞回比较器，线性
第3题
【习题5-18】一块掺施主浓度为[图]的硅片，[图]下掺金到...
【习题5-18】一块掺施主浓度为
的硅片，
下掺金到饱和浓度
，然后经氧化等处理，最后此硅片的表面复合中心浓度为
？ 1）试计算室温下体寿命
，扩散长度
和表面复合速度
。 2)如果用光照射硅片并被样品均匀吸收，电子—空穴对的产生率是
,试求表面处的空穴浓度以及流向表面的空穴流密度是多少？（金的空穴俘获系数为
，迁移率
与总的杂质浓度
有关、可查教材图4-14(a)得出
，
，求室温下Ge突变pn结的
。第8题
外加正向直流电压下，对pn结的能带特性描述正确的是？
A、势垒区中，能带拥有统一稳定的费米能级
B、扩散区中的少子的费米能级均不随x_n或x_p的变化而改变
C、扩散区中的多子浓度不随x_n或x_p的变化而变化
D、势垒区中的载流子浓度随x而改变
E、势垒高度随正向偏压增加而减小
F、总电流密度随x而改变
第9题
【习题6-5】一硅突变pn结，n区的[图]，[图]；p区的[图]，[图...
【习题6-5】一硅突变pn结，n区的
，
；p区的
，
；计算室温下空穴电流
与电子电流
之比、饱和电流密度
、以及在正向电压0.3 V时流过pn结的电流密度
。
