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提问人：网友hakuci 发布时间：2022-01-07

[单选题]

理想导体表面的面电荷密度等于，理想导体表面的面电流密度等于。

A.电场强度的法向分量

B.电位移矢量的法向分量

C.磁场强度的切向分量

D.磁感应强度的切向分量

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第1题

真空中有两个平行的无限大均匀带正电平面，电荷面密度分别为

和

。如图所示，两平面之间的Ａ、Ｂ两点的电势分别为

、

，则　　　　　　

A、

B、

C、

D、无法比较和的高低。

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第2题

直径为多少的眶内铁质异物平片可显示（）

A. 1mm以上

B. 0.5mm以上

C. 0.8mm以上

D. 1.2mm以上

E. 0.3mm以上

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第3题

理想导体表面外侧电场和磁场均只有法向分量。

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第4题

理想导体表面的垂直入射波在入射介质中的合成波是（）。

A、行波。

B、驻波。

C、行驻波。

D、0。

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第5题

理想MOS结构半导体表面空间电荷区的平带电容可用极板间距为德拜长度LD的平板电容公式表示。()

此题为判断题(对，错)。

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第6题

以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是()。

A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体

B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体

C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体

D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体

E、n型半导体依靠导带电子导电

F、p型半导体依靠价带空穴导电

G、本征半导体中载流子由本征激发产生

H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度

I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子

J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴

K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生

L、杂质半导体中也存在本征激发的过程

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第7题

一半径为R的理想导体球,以常速度v=vex(v<<c)在均匀磁场b=bey中运动,如习题 8.11图所示.在v/c的最低阶近似下,在相对导体球静止的参考系数中,写出导体球面上的感应面电荷分布.(提示:参考习题2.5).

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第8题

两个理想电流源并联可等效为一个理想电流源,其等效的电流源电流为()

A．两个电流源电流中较大的一个

B．两个电流源电流的代数和

C．两个电流源电流的平均值

D．两个电流源电流中较小的一个

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