题目内容
（请给出正确答案）
参考答案
简答题官方参考答案
（由简答题聘请的专业题库老师提供的解答）
网友提供的答案
更多“电力MOSFET通态电阻具有负温度系数，对器件并联时的均流有利（）”相关的问题
A.MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流不利。
B.MOSFET的通态电阻具有负温度系数，不能并联使用。
C.MOSFET的通态电阻具有正温度系数，此特性对器件并联时的均流有利。
D.MOSFET的通态电阻具有负温度系数，对器件并联时的均流有利。
A.驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快
B.耐压高，电流容量大
C.反型层形成沟道导电
D.通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利
A.一组器件的驱动信号要尽量保持一致
B.MOSFET不适合并联使用
C.BJT的导通电阻具有正温度系数
D.IGBT在电流较大时具有负温度系数
A.型号相同的MOSFET可以并联运行，而IGBT不可以并联运行。
B.型号相同的MOSFET可以并联运行，IGBT在通过电流较大时通态压降具有正温度系数，也可以并联使用。
C.型号相同的MOSFET不可以并联运行，而IGBT可以并联运行。
D.型号相同的MOSFET和IGBT都不可以并联运行。
A.驱动原理与电力MOSFET相同，是场控器件
B.主要导电沟道由其内部的晶体管提供
C.通过结构分析可知，其内部寄生着一个二极管
D.高耐压的同时也具有很小的通态压降
E.可能出现的二次击穿对IGBT危害极大
F.关断过程中存在拖尾电流，导致其关断时间延长
警告：系统检测到您的账号存在安全风险
为了保护您的账号安全，请在“简答题”公众号进行验证，点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证，验证成功后方可继续查看答案！
