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提问人：网友linys99 发布时间：2022-01-07
[单选题]

在磷掺杂浓度为 2 × 10 16 cm -3 的硅衬底（功函数约为 4.25eV ）上要做出欧姆接触，下面四种金属最适 合的是 （A 在磷掺杂浓度为 2 × 10 16 cm -3 的硅衬底（功函数约为 4.25eV ）上要做出欧姆接触，下面四种金属最适 合的是 （A 在磷掺杂浓度为2e16 cm-3的硅衬底（功函数约为4.25eV）上要做出欧姆接触，下面四种金属最适合的是（）

A.In (Wm=3.8eV)

B.Cr (Wm=4.6eV)

C.Au (Wm=4.8eV)

D.Al (Wm=4.3eV)

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第1题
p+/n硅太阳电池,常用磷或砷作掺杂元素。()

此题为判断题(对，错)。

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第2题
制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型的外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成。①设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV,300k时的EF位于导带底下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。②设n型外延层杂志均匀分布，杂质浓度为4.6x1015cm-3,计算300K时的EF位置和电子空穴浓度。③在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼的浓度为5.2x1015cm-3,计算300K时EF位置和电子空穴浓度。④如温度升高到500，计算③中电子空穴的浓度。

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第3题
金属和N型半导体接触形成肖特基势垒，若外加正压于金属，随电压增加，空间电荷区宽度将（ ）

A、不变

B、增加

C、减小

D、不能确定

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第4题
N型半导体形成的肖特基势垒二极管，其正向电流是（ ）。

A、半导体的多子流向金属形成，方向从金属指向半导体

B、半导体的多子流向金属形成，方向从半导体指向金属

C、半导体的少子流向金属形成，方向从金属指向半导体

D、半导体的少子流向金属形成，方向从半导体指向金属

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第5题
隧道效应引起肖特基势垒高度的变化量随（ ）的增加而增大

A、正偏电压的增加而增大

B、反偏电压绝对值的增加而增大

C、正偏电压的增加而减小

D、反偏电压绝对值的增加而减小

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第6题
金属与N型半导体形成的整流接触，扩散理论适用于（ ）半导体

A、势垒区宽度远小于电子的平均自由程

B、势垒区宽度远大于电子的平均自由程

C、势垒区宽度等于电子的平均自由程

D、不确定

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第7题
金属与N型半导体形成的整流接触，热电子发射理论适用于（ ）半导体

A、势垒区宽度远小于电子的平均自由程

B、势垒区宽度远大于电子的平均自由程

C、势垒区宽度等于电子的平均自由程

D、不确定

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第8题
欧姆接触有哪些实现的方式（）

A、选择适当的金属，形成阻挡层

B、选择适当的金属，形成反阻挡层

C、半导体表面高掺杂，利用隧道效应原理制备欧姆接触

D、半导体表面通过磨砂处理，形成大量的复合中心

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第9题
硅肖特基二极管的特点（）

A、多子和少子同时参与导电

B、开关速度快

C、反向泄漏电流较PN结二极管大

D、不存在少子存储效应

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第10题
对于非理想的MIS结构，当半导体功函数小于金属功函数时，引起平带电压为（ ）；当绝缘层中存在负电荷时，若电荷密度（ ），或者电荷分布越（ ）金属一侧，平带电压的绝对值越大。

A、正值，越大，靠近

B、正值，越大，远离

C、正值，越小，靠近

D、正值，越小，远离

E、负值，越大，靠近

F、负值，越大，远离

G、负值，越小，靠近

H、负值，越小，远离

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