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提问人：网友yangchen4403
发布时间：2022-01-07
[主观题]
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，求![若硅PN结的[图]，[图]，求[图]时PN结的内建电位差。...若硅PN结的，，求时PN结的内建电位](http://static.jiandati.com/65f4ce4-chaoxing2016-318407.png)
时PN结的内建电位差。
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，求室温下Ge突变pn结的
。第3题
在T=300K,硅的本征载流子浓度[图]=1.5[图],硅的PN结N...
在T=300K,硅的本征载流子浓度
=1.5
,硅的PN结N区掺杂浓度
=
,P区掺杂浓度
=
,求平衡时势垒高度
与（）有关。
第7题
【习题6-5】一硅突变pn结，n区的[图]，[图]；p区的[图]，[图...
【习题6-5】一硅突变pn结，n区的
，
；p区的
，
；计算室温下空穴电流
与电子电流
之比、饱和电流密度
、以及在正向电压0.3 V时流过pn结的电流密度
。
第9题
由于PN结内存在着内电场，因此在PN结两边就有电位差。下列说法正确的是（）。
A.在硅材料和锗材料的PN结分别约为0.7V和0.4V
B. 硅材料和锗材料的PN结分别约为0.9V和0.2V
C. 电位降落的方向和内电场方向相反
D. 硅材料和锗材料的PN结分别约为0.5V和0.2V
第10题
课堂上已学习并理解了突变PN结的杂质浓度分布导致内建...
课堂上已学习并理解了突变PN结的杂质浓度分布导致内建电场、内建电势分布，如图所示
当杂质浓度分布如图2所示，即称为单边突变PN+结的情况。请作答：
图3所示的内建电场分布图是否正确？为什么？
图4所示的内建电势的分布图是否正确？为什么？
