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提问人：网友chinalex
发布时间：2022-01-07
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请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。
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第5题
在放大器的基本组成电路中，晶体管可以采用不同的接法。以N沟道增强型场效应管为例，如下图所示，称为什么放大器？ 
在放大器的基本组成电路中，晶体管可以采用不同的接法。以N沟道增强型场效应管为例，如下图所示，称为什么放大器？
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第6题
以npn型双极型晶体管为例，以下关于发射区重掺杂效应的说法中错误的是（)。
A.发射区重掺杂导致杂质能级分裂，禁带宽度变窄，增大
B.发射区重掺杂导致电子浓度升高，增大，发射效率提高
C.俄歇复合增强，空穴寿命减小，扩散长度减小，增大
D.考虑发射效率公式，放大系数减小
第7题
以npn型双极型晶体管为例，以下关于发射区重掺杂效应的说法中错误的是（）。
A、发射区重掺杂导致杂质能级分裂，禁带宽度变窄，
增大
B、发射区重掺杂导致电子浓度升高，
增大，发射效率提高
C、俄歇复合增强，空穴寿命减小，扩散长度减小，增大
D、考虑发射效率公式，放大系数减小
第9题
以n沟增强型MOSFET为例，以下关于沟道长度调变效应的说法错误的是（）。
A、
增加，出现夹断点，沟道长度减小，导致漏-源饱和电流增加
B、MOS输出特性曲线饱和区段发生倾斜，输出阻抗降低
C、在n型沟道中运动的电子到达夹断处时，被耗尽区电场扫进漏区，增益变小
D、其工作机理类似于双极型晶体管的基区宽度调变效应
第10题
以n沟增强型MOSFET为例，以下关于沟道长度调变效应的说法错误的是（）。
A.VDS增加，出现夹断点，沟道长度减小，导致漏-源饱和电流增加
B.MOS输出特性曲线饱和区段发生倾斜，输出阻抗降低
C.在n型沟道中运动的电子到达夹断处时，被耗尽区电场扫进漏区，增益变小
D.其工作机理类似于双极型晶体管的基区宽度调变效应
