扩散电容是由势垒区两边积累的非平衡多子电荷随外加电压变化而引起的。

此题为判断题(对，错)。

A、N区的电子与空间电荷区中的杂质正离子复合，使得空间正电荷区变窄

B、P区的空穴与空间电荷区中的杂质负离子复合，使得空间负电荷区变窄

C、N区的电子顺着外电场方向运动，越过PN结在P区形成非平衡少子电子的浓度分布

D、P区的空穴顺着外电场方向运动，越过PN结在N区形成非平衡少子空穴的浓度分布

A、空间电荷区中电场最强的地方是在靠近N区的边界上

B、对于单边突变结，空间电荷区宽度主要向低掺杂一侧扩展

C、平衡时，势垒区两侧正负电荷的总数相等

D、平衡时，一般假设势垒区自由电子密度为零，采用耗尽层近似

A、扩散硅芯片由单晶硅经过采用集成工艺技术经过掺杂、扩散制成

B、其硅片上沿单晶硅的特点晶向，制成应变电阻，构成惠斯凳电桥

C、集力敏与力电转换检测于一体

D、根据压阻效应，将压力转换成破坏惠斯凳电桥桥路平衡的电流，再根据电流变化与压力大小的非线性关系，推算压力大小

如图是基于天平平衡法的绝对静电电压表测量高电压u的原理示意图。()

此题为判断题(对，错)。

此题为判断题(对，错)。

电子说带的电荷量(基本电荷-e)最先是由密立根通过油滴试验测的。密立根设计的试验装置如附图所示。一个很小的带电油滴在电场E内。调节E，使作用在油滴上的电场力与油滴的总量平衡。如果油滴的半径为厘米，在平衡E=牛顿/库仑。求油滴上的电荷(已知油的密度为0.851克/厘米^3)

此题为判断题(对，错)。

A、载流子在浓度梯度作用下的定向运动

B、均匀掺杂的半导体，处于热平衡状态时，不产生扩散运动

C、不论是平衡载流子还是非平衡载流子，只要存在浓度梯度，都会产生扩散运动

D、载流子在电场作用下的定向运动

E、载流子的无规则热运动

F、扩散运动是平衡载流子的主要运动形式之一