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提问人：网友sevenmiddle 发布时间：2022-01-07
[单选题]

衬源短接的增强型NMOSFET,VDS＞0正常开启时,衬底表面电势最低点出现在_______

A.源区

B.沟道区靠近源区一侧

C.沟道区靠近漏区一侧

D.漏区

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更多“衬源短接的增强型NMOSFET,VDS＞0正常开启时,衬底表面电势最低点出现在_______”相关的问题
第1题
衬源短接的增强型NMOSFET,VDS>0正常开启时,衬底表面电势最低点出现在?()
A、源区

B、沟道区靠近源区一侧

C、沟道区靠近漏区一侧

D、漏区

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第2题
当衬源零偏时,某NMOS管的阈值电压为1V。现将该MOS管衬底接地,源接0.5V,则恰好能使该MOS管开启的栅电位最有可能是()。
A、0.5V

B、1V

C、1.5V

D、1.8V

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第3题
n沟增强型MOSFET的衬底材料为___半导体,在工作时通常源端接___。
A、n型，电源电压

B、n型，地

C、p型，电源电压

D、p型，地

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第4题
设一n沟增强型管VTH=2V,VGS=6V,源端接地,以下说法正确的是()。
A、VDS=0V时，沟道中各点电位相同，沟道厚度各处相同，IDS=0

B、VDS=2V时，漏端沟道厚度比源端厚，但相差不大可近似看成均匀

C、VDS从2V变为4V时，源端沟道越来越薄，IDS随VDS上升减慢

D、VDS=4V时，沟道进入夹断的临界状态，MOS管由导通变为截止

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第5题
以下关于MOS倒相器的说法不正确的是()。
A、NMOS漏极接VDD，源极加一个负载电阻，即构成一个倒相器

B、当VGS=0，NMOS倒相器处于截止状态，VDS接近VDD

C、当NMOS管导通时，输出电压VD下降

D、管子工作于截止与导通两个状态，故倒相器起了开关的作用

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第6题
如图所示电路的二端口网络N中含电阻和受控源，在电流源Is的作用下，U=10V，如果使u增大到40V,则电流源电流应为（ ）。

A、（1/4）Is

B、（1/2）Is

C、2Is

D、4Is

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第7题
如果串联谐振回路的信号源电压为5V，回路品质因数为100，则在谐振时电感两段的电压幅值为_____V。
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第8题
如图 2.30(教材图2.21)所示的电路接于U=10V的信号源上,C=1μF。当信号源的ω=1000 rad/s时,UR=0;当信号源的ω=2000rad/s时, UR=10V。求L1和L2。

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第9题
对n沟增强型MOSFET而言,源极接地,半导体表面达到强反型后,___在沟道中______进行输运。
A、空穴，由源端到漏端

B、空穴，由漏端到源端

C、电子，由源端到漏端

D、电子，由漏端到源端

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第10题
已知图示电路中晶体管[图]＝100，rbe＝3.3k[图]。该放大电...

已知图示电路中晶体管＝100，rbe＝3.3k。该放大电路的中频电压放大倍数约为____（A、50， B、100， C、200）；下限截止频率fL约为____Hz。（A、1， B、10， C、100）；当 Ui＝7mV，f=fL时，Uo约为 ____V（A、0.1， B、0.7， C、1， D、1.4）。

A、CBC

B、ABC

C、ABA

D、ACB

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