对n沟增强型MOSFET而言,源极接地,半导体表面达到强反型后,___在沟道中______进行输运。
A.空穴,由源端到漏端
B.空穴,由漏端到源端
C.电子,由源端到漏端
D.电子,由漏端到源端
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A.空穴,由源端到漏端
B.空穴,由漏端到源端
C.电子,由源端到漏端
D.电子,由漏端到源端
B、沟道长度调变效应会使MOS输出特性曲线饱和区段发生倾斜,输出阻抗降低
C、由于沟道长度调变效应,在n型沟道中运动的电子到达夹断处时,会被耗尽区电场扫进漏区,从而导致增益变小
D、沟道长度调变效应的工作机理与双极型晶体管的基区宽度调变效应有些相似
B、若金属相比半导体的功函数较小,二者功函数之差越大时,n沟增强型MOSFET的开启电压就越小
C、衬底掺杂浓度越高,沟道越容易进入强反型状态
D、氧化层厚度增加,阈值电压增加
某场效应管的转移特性如图所示,该管为()。
A、P沟道增强型MOS管
B、P沟道耗尽型MOS管
C、N沟道增强型MOS管
D、N沟道耗尽型MOS管
A、MOS管是电压控制型器件,导电时电子和空穴同时参与导电
B、MOS管是电流控制型器件,导电时电子和空穴同时参与导电
C、MOS管是电压控制型器件,导电时只有一种载流子参与导电
D、MOS管是电流控制型器件,导电时只有一种载流子参与导电
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