为了使MOS管开启，增强型NMOS管栅极相对于源极要加负电压，增强型PMOS管栅极相对于源极要加正电压。

A.增强型PMOS，开启电压VTP=﹣2V

B.耗尽型PMOS，夹断电压VP=﹣2V

C.增强型NMOS管，开启电压VTP=﹣2V

D.耗尽型NMOS，夹断电压VTP=﹣10V

A.栅极和电源连接在一起；

B.是两端元件；

C.栅极和源极连接在一起；

D.是三端元件。

在MOS门电路中，欲使NMOS管导通可靠，栅极所加电压应小于开启电压UTN 。()

A.当栅极电压为零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。

B.当栅极电压小于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在着导电沟道。

C.当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。

D.当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间不能导通。

A.N沟道增强型管，工作在可变电阻区

B.N沟道耗尽型管，工作在放大区

C.P沟道增强型管，工作在截止区

D.P沟道耗尽型管，工作在放大区

A.P沟道耗尽型场效应管；栅极G电压为0V，漏极与源极之间也可能会有电流。

B.N沟道增强型场效应管；栅极G电压大于开启电压后，漏极与源极之间才会有电流。

C.结型场效应管，栅极G电压为0V，漏极与源极之间也可能会有电流。

D.P沟道耗尽型场效应管；栅极G电压大于开启电压后，漏极与源极之间才会有电流。

A.增强型NMOS管

B.增强型PMOS管

C.耗尽型NMOS管

D.耗尽型PMOS管