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提问人:网友kaixinyoume 发布时间:2022-01-07
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平衡PN结的空间电荷区中,P区一侧为带负电的受主离子,N区一侧为带正电的施主离子

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第1题
在半导体pn结的空间电荷区分布有正、负离子,n区内是正离子,p区内是负离子,两区内的电荷量相等,如习题7-23图所示。取x轴的原点在pn结的交界面上,p区的范围和n区的范围,其电荷的体分布为ρ(x)=-eax,式中a为常量。试证明该电荷区的电场分布为,并画出ρ(x)和E(x)随x变化的曲线。( 提示;把pn结看成是一对带正、负电荷的无限大平板。)

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第2题
伴随着扩散的进行,在N区和P区交界附件会出现空间电荷,空间电荷区中的电场方向是?
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第3题
pn结空间电荷区形成的自建电场的方向是从p指向n。()

此题为判断题(对,错)。

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第4题
PN结外加正向电压时,下面错误的说法是( )。

A、N区的电子与空间电荷区中的杂质正离子复合,使得空间正电荷区变窄

B、P区的空穴与空间电荷区中的杂质负离子复合,使得空间负电荷区变窄

C、N区的电子顺着外电场方向运动,越过PN结在P区形成非平衡少子电子的浓度分布

D、P区的空穴顺着外电场方向运动,越过PN结在N区形成非平衡少子空穴的浓度分布

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第5题
单边突变结结的空间电荷区主要向P型侧扩展。()

此题为判断题(对,错)。

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第6题
p型的MOS结构半导体表面处于反型区时,空间电荷是()的,为()。
A、正,电离施主杂质

B、正,电离施主杂质和空穴

C、负,电离受主杂质

D、负,电离受主杂质和电子

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第7题
P型半导体中的多数载流子是()。

A. 自由电子

B. 空穴

C. 束缚电子

D. 晶格上的离子

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第8题
不会影响半导体本征载流子浓度的因素是禁带宽度
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第9题
为了获得良好的放大性能 ,一般希望PNP管中Wb<<lpb>
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