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提问人:网友bxxmgls6 发布时间:2022-01-07
[单选题]

下列关于主存的描述,错误的是()

A.用来存储CPU需要执行的指令和数据

B.永久性存放用户的程序和数据

C.主存属于半导体动态存储器,需要刷新操作。

D.主存与CPU一起构成主机的主要部件。

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第2题

A、某一时刻,系统地址线上的信号流向是由存储器指向CPU。

B、某一时刻,系统地址线上的信号流向是由某个接口电路指向CPU。

C、某一时刻,系统数据线上的信号可以和CPU中某个通用寄存器内容一致。

D、某一时刻,系统数据线上的信号可以同时被送往存储器和某个接口电路。

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第3题

A、80386

B、Core 2

C、8086

D、80286

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第4题
下列关于数据传输率,表述错误的是( )

A、数据传输率等价于带宽,指的是单位时间内数据的传输量。

B、数据传输率等于数据传输的位宽除以传输周期。

C、数据传输率等于数据传输的位宽乘以传输频率

D、数据传输率的单位可以表示为IPS,bPS和MBPS。

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第5题
下列关于存储器的各项叙述,正确的是( )

A、静态存储器依靠电容来存储信息,不需要刷新,需要电源供电才能保存信息。

B、动态存储器依靠双稳态电路来存储信息,需要定时刷新

C、硬盘属于磁表面存储器,能长期保存数据,读数据的操作是非破坏性读出。

D、移动硬盘是一种半导体存储器,能保存大量的数据。

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第6题
下列对于RAM和ROM,描述错误的是( )

A、两者都属于半导体存储器类型。

B、两者都采用随机访问方式,访问时间和存储单元的地址码无关。

C、主存属于是一种RAM型的存储器

D、可以从ROM存储器读数据,但任何条件下都不能对ROM存储器写入数据。

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第7题
下列适合用做Cache的存储器是( )

A、静态存储器

B、动态存储器

C、磁存储器

D、光存储器

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第8题
下列各种存储单元的电路中,读数据时属于破坏性读出的存储是( )

A、双极型存储单元

B、静态MOS型六管存储单元

C、动态MOS四管存储单元

D、动态MOS型单管单元

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第9题
对下列几种ROM芯片,描述正确的是( )

A、PROM型存储芯片支持数据的写入操作,可对其多次写入数据

B、FLASH芯片,可以实现芯片级、也可以实现比特级的数据擦除。

C、EPROM存储芯片,采用电擦除方式,只能实现芯片级的数据擦除。

D、EEPROM存储芯片,采用紫外线擦除方式,能实现芯片级和比特级的数据擦除。

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第10题
下列关于动态存储器刷新方式,错误的表述是( )

A、按芯片存储单元的矩阵进行刷新,每个存储单元逐一分别刷新。

B、刷新本质上是对存储单元进行数据重写,由刷新电路自动执行。

C、刷新1行的时间称为刷新周期,它由芯片矩阵的行数和最大刷新间隔决定。

D、集中刷新的缺点是容易形成内存访问的时间死区,异步刷新既可以避免访存死区,还能提高刷新操作安排的灵活性。

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