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下列关于动态存储器刷新方式,错误的表述是()
A.按芯片存储单元的矩阵进行刷新,每个存储单元逐一分别刷新。
B.刷新本质上是对存储单元进行数据重写,由刷新电路自动执行。
C.刷新1行的时间称为刷新周期,它由芯片矩阵的行数和最大刷新间隔决定。
D.集中刷新的缺点是容易形成内存访问的时间死区,异步刷新既可以避免访存死区,还能提高刷新操作安排的灵活性。
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A.按芯片存储单元的矩阵进行刷新,每个存储单元逐一分别刷新。
B.刷新本质上是对存储单元进行数据重写,由刷新电路自动执行。
C.刷新1行的时间称为刷新周期,它由芯片矩阵的行数和最大刷新间隔决定。
D.集中刷新的缺点是容易形成内存访问的时间死区,异步刷新既可以避免访存死区,还能提高刷新操作安排的灵活性。
B.在计算机存储器体系结构设计时,希望存储器系统的性能高、价格低,那么在存储器系统设计时,应当在存储器容量,速度和价格方面的因素作折中考虑,建立分层次的存储器体系结构。
C.高速缓冲存储器简称cache,它是计算机系统中的一个高速大容量半导体存储器。
D.主存储器简称主存,是计算机系统的主要存储器,用来存放计算机运行期间的大量程序和数据。 外存储器简称外存,它是大容量辅助存储器。
A、各DRAM芯片轮流刷新
B、各DRAM芯片同时刷新,片内逐位刷新
C、各DRAM 芯片同时刷新,片内逐字刷
D、各DRAM芯片同时刷新,片内逐行刷新
B.其存储内容是由制造厂商在生产过程按预定要求写入的
C.其英文缩写为EPROM
D.其存储内容只能由用户写一次
A.内存条采用的是动态随机存取存储器
B.内存的基本编址单位是字节
C.BIOS ROM也是内存的一个组成部分
D.内存的容量是可以随意扩充的
A、访问存储器与访问外设指令相同,由地址来区分
B、总线简单,使用灵活,易于扩展
C、任意两设备之间理论上都可以直接交换信息
D、并行性高,适用于高性能计算机
A、典型的磁化方式有两种:水平磁化和垂直磁化。
B、水平磁化方式形成的位密度远低于垂直磁化方式。
C、磁层保持静止不动而磁头移动,通过磁头线圈感应电势的变化来读出数据。
D、写入数据时,利用导电线圈中的写入电流产生的磁场来对磁层材料进行磁化,通过磁化状态的分布模式来存储信息。
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