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提问人：网友fish8088
发布时间：2022-01-07
[主观题]
下列关于阈值电压的说法，不正确的是（）
A、NFET的阈值电压定义为当界面的电子浓度等于p型衬底的多子浓度时的栅源电压
B、在器件制造过程中，可通过向沟道区注入杂质来调整阈值电压
C、当
时，NMOS器件导通
D、若
，则 NMOS器件关断
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第2题
下列关于阈值电压的说法，不正确的有（）
A.对于NFET，界面的电子浓度等于p型衬底的多子浓度时的栅压VGS
B.若VGS＞VTH ，则MOS管导通
C.若VTH=0，则对于最低电压为GND的NMOS器件来说一般不关断
D.在器件制造过程中，通过向沟道区注入杂质可以调整阈值电压VTH0 ，即改变氧化层界面附近衬底的掺杂浓度
E.工艺确定后，VTH0确定，那么设计者再无法改变器件的阈值电压
F.PMOS器件的VGS要足够“负”，才能使其导通。
。当氧化层厚度为
时，阈值电压为
，则当氧化层厚度为
时的阈值电压为()
。
第5题
某铝栅p沟道mosfet的衬底和源极短接，其参数如下：tox=10nm，衬底掺杂浓度为
某铝栅P沟道MOSFET的衬底和源极短接，其参数如下：Tox=10nm，衬底掺杂浓度为
，氧化层电荷面密度为
，金属栅和衬底的功函数差为-0.3V，空穴迁移率为
，电子迁移率为
（1）该MOSFET的衬底费米势为多少？ （2）该MOSFET的单位面积氧化层电容是多少？ （3）写出该MOSFET的阈值电压公式，并计算阈值电压？
第7题
以下关于MOSFET阈值电压的说法中，错误的是（)。
A.半导体表面强反型时的栅极电压称为阈值电压
B.若金属相比半导体的功函数较小，二者功函数之差越大时，n沟增强型MOSFET的开启电压就越小
C.衬底掺杂浓度越高，沟道越容易进入强反型状态
D.氧化层厚度增加，阈值电压增加
第9题
下面有关MOS晶体管阈值电压的说法不正确的是：
A.当源与体之间存在衬底偏置电压VSB时，将会使n沟MOS管的阈值电压增大。
B.随着栅电压的不断提高，耗尽区宽度将逐渐增大。
C.阈值电压通常对于NMOS器件是一个正值，对于PMOS器件是一个负值。
D.p型硅衬底的费米势的典型值是-0.3V。
