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硅半导体的导电过程存在()和空穴两种载流子。
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A.III族元素在硅、锗中电离过程接受电子;
B.III族元素在硅、锗中电离产生导电空穴;
C.III族元素在硅、锗中电离后并形成正电中心;
D.此类杂质半导体为依靠价带空穴导电的P型半导体 。
A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。
B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体。
C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。
D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体。
E、n型半导体依靠导带电子导电。
F、p型半导体依靠价带空穴导电。
G、本征半导体中载流子由本征激发产生。
H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。
I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。
J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。
K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生。
L、杂质半导体中也存在本征激发的过程。
B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体
C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体
D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体
E、n型半导体依靠导带电子导电
F、p型半导体依靠价带空穴导电
G、本征半导体中载流子由本征激发产生
H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度
I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子
J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴
K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生
L、杂质半导体中也存在本征激发的过程
现有三块半导体硅材料,已知在室温下(300K)它们的空穴浓度分别为,
,
。 (1) 分别计算这三块材料的电子浓度
、
、
; (2) 判别这三块材料的导电类型;(3) 分别计算这三块材料的费米能级位置。
A.N型半导体中多子是电子,少子是空穴
B.P型半导体可以掺磷(P)得到
C.P型半导体主要靠空穴导电
D.向硅中掺入施主杂质可以得到N型半导体
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