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提问人：网友zhangwe2019
发布时间：2022-01-06
[判断题]
利用半导体二极管的反向击穿特性，可以组成二极管稳压电路。（)
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A.正向特性
B.单向导电性
C.反向击穿特性
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第2题
下面关于ESD防护说法不正确的是：（）
A.让静电通过一个低阻抗并联通道进行放电，同时将ESD电压钳制在一个足够低的电平，避免硅/金属互连线烧毁或者栅氧化层击穿
B.ESD引起芯片失效是由于瞬态高电流所产生的局部高热量引起硅半导体材料或者金属互连线烧毁和ESD放电过程产生的高电压使得芯片上的栅氧化层击穿。
C.输入保护分为单二极管、电阻结构和双二极管、电阻结构，还可利用PN结的击穿特性
D.反向偏置的二极管可以作为ESD防护器件，正向偏置的二极管不行
第5题
下列描述不正确的是：
A.半导体、本征半导体均具有导电能力。
B.二极管特性曲线分三个区：正向工作区、反向工作区、击穿区。
C.二极管的主体是PN结，但两者特性仍有区别。
D.当PN结外加正向电压超过一定大小时，PN结将被击穿。
第6题
以下说法错误的是（）。
A.电击穿包括齐纳击穿和雪崩击穿两种，只要反向电流控制在一定范围内，是可以逆转的。
B.稳压二极管在正常工作时外加反偏电压，所以无需串联限流电阻。
C.齐纳击穿的本质是场致电离，对电场强度的要求很高。
D.雪崩击穿的本质是碰撞电离，要求少子在电场中漂移过程中能够获得足够大的动能。
E.二极管整流电路利用的是二极管的单向导电特性。
F.二极管整流电路利用的是二极管的电容效应。G、二极管整流电路利用的是二极管的反向击穿特性。
