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提问人:网友anonymity
发布时间:2022-01-06
[主观题]
利用弹性模量E=187×109N/m2的P-Si半导体材料,沿着〈100〉晶向和〈111〉晶向制作半导体应变片,求灵敏度系数。
利用弹性模量E=187×109N/m2的P-Si半导体材料,沿着〈100〉晶向和〈111〉晶向制作半导体应变片,求灵敏度系数。
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利用弹性模量E=187×109N/m2的P-Si半导体材料,沿着〈100〉晶向和〈111〉晶向制作半导体应变片,求灵敏度系数。
A、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得
B、在N型半导体中,掺入高浓度的三价杂质可以改型为P型半导体
C、P型半导体带正电,N型半导体带负电
D、PN结内的扩散电流是载流子在电场作用下形成的
A、N型半导体中多子是电子,少子是空穴
B、P型半导体可以掺磷(P)得到
C、P型半导体主要靠空穴导电
D、向硅中掺入施主杂质可以得到N型半导体
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